Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 59 A 650 V Forbedring, 8 Ben, PG-HSOF-8, CoolSiC MOSFET 650 V G1 Nej IMT65R083M1HXUMA1

Infineon 650 V CoolSiC MOSFET er konstrueret med banebrydende siliciumcarbid-teknologi, der giver uovertruffen effektivitet og pålidelighed til krævende anvendelser. Denne næste generations komponent er designet til at optimere ydeevnen på tværs af forskellige høje temperaturer og udfordrende driftsmiljøer. Dets innovative design, der er blevet forfinet gennem 20 år, kombinerer ubesværet høj driftssikkerhed med brugervenlig integration. Stigningen i effekttætheden og reduktionen i systemstørrelsen gør den til et ideelt valg til anvendelser som f.eks. solcelleinvertere, infrastruktur til opladning af elektriske køretøjer og energilagringsløsninger, hvilket muliggør problemfri implementering i strømforsyningssystemer.

Optimeret skifteadfærd forbedrer effektiviteten