Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 59 A 650 V Forbedring, 8 Ben, PG-HSOF-8, CoolSiC MOSFET 650 V G1
- RS-varenummer:
- 284-732
- Producentens varenummer:
- IMT65R083M1HXUMA1
- Brand:
- Infineon
Kan ikke leveres i øjeblikket
Beklager, men vi ved ikke, hvornår dette er på lager igen.
- RS-varenummer:
- 284-732
- Producentens varenummer:
- IMT65R083M1HXUMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 59A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Serie | CoolSiC MOSFET 650 V G1 | |
| Emballagetype | PG-HSOF-8 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 111mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 158W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 23 V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS Compliant | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 59A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Serie CoolSiC MOSFET 650 V G1 | ||
Emballagetype PG-HSOF-8 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 111mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 158W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 23 V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS Compliant | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon 650 V CoolSiC MOSFET er konstrueret med banebrydende siliciumcarbid-teknologi, der giver uovertruffen effektivitet og pålidelighed til krævende anvendelser. Denne næste generations komponent er designet til at optimere ydeevnen på tværs af forskellige høje temperaturer og udfordrende driftsmiljøer. Dets innovative design, der er blevet forfinet gennem 20 år, kombinerer ubesværet høj driftssikkerhed med brugervenlig integration. Stigningen i effekttætheden og reduktionen i systemstørrelsen gør den til et ideelt valg til anvendelser som f.eks. solcelleinvertere, infrastruktur til opladning af elektriske køretøjer og energilagringsløsninger, hvilket muliggør problemfri implementering i strømforsyningssystemer.
Optimeret skifteadfærd forbedrer effektiviteten
Robust kropsdiode sikrer pålidelig kommutering
Designet til drift ved høje temperaturer
Forenklet integration i eksisterende kredsløb
Enestående termisk ydeevne til krævende miljøer
Overlegen lavinekapacitet for systemsikkerhed
Betydelig reduktion af koblingstab
Ideel til applikationer med høj effekttæthed
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 59 A 650 V Forbedring PG-HSOF-8, CoolSiC MOSFET 650 V G1
- Infineon N-Kanal 36 A 650 V PG-HSOF-8, CoolSiC MOSFET 650 V G1 IMT65R072M1HXUMA1
- Infineon Type N-Kanal 142 A 650 V Forbedring PG-HSOF-8, CoolSiC MOSFET 650 V G1
- Infineon Type N-Kanal 61 A 650 V Forbedring PG-HSOF-8, CoolSiC MOSFET 650 V G1
- Infineon Type N-Kanal 196 A 650 V Forbedring PG-HSOF-8, CoolSiC MOSFET 650 V G1
- Infineon Type N-Kanal 44 A 650 V Forbedring PG-HSOF-8, CoolSiC MOSFET 650 V G1
- Infineon Type N-Kanal 50 A 650 V Forbedring PG-HSOF-8, CoolSiC MOSFET 650 V G1
- Infineon Type N-Kanal 26 A 650 V Forbedring PG-HSOF-8, CoolSiC