Infineon N-Kanal, MOSFET, 85 A 100 V, 8 ben, PG-WHSON-8, OptiMOS IQE065N10NM5SCATMA1

Se alle MOSFET
Ikke tilgængelig
RS lagerfører ikke længere dette produkt
RS-varenummer:
284-779
Producentens varenummer:
IQE065N10NM5SCATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

N

Drain-strøm kontinuerlig maks.

85 A

Drain source spænding maks.

100 V

Kapslingstype

PG-WHSON-8

Serie

OptiMOS

Monteringstype

Overflademontering

Benantal

8

Kanalform

Enhancement

Antal elementer per chip

1

Transistormateriale

SiC

Infineon MOSFET har en OptiMOS 5 Power Transistor, der er udviklet til højtydende applikationer og giver robuste muligheder for synkron ensretning til switch mode-strømforsyninger. Denne N-kanal-MOSFET har en kompakt PG WHSON 8-pakke, der er specialdesignet til at håndtere højere effektniveauer og samtidig sikre maksimal effektivitet og pålidelighed. Den har en unik lavinetestcertificering og overlegen termisk modstand, hvilket gør den ideel til industrielle anvendelser, hvor ydeevnen er afgørende. Med en drain source-spænding på 100 V og en imponerende lav on state-modstand skiller denne transistor sig ud på markedet. Dens banebrydende design sikrer, at den lever op til de strenge standarder i IEC60947 5 2 og RoHS, og dermed imødekommer miljøbevidste producenter.

Optimeret til højeffektiv SMPS
100% lavinetestet for pålidelighed
Overlegen termisk ydeevne sammenlignet med konkurrenterne
Pb-fri blybelægning til overholdelse af miljøkrav
Overholder RoHS for reduceret økologisk fodaftryk
Halogenfri konstruktion minimerer miljøpåvirkningen
Skræddersyet til strenge industristandarder

Relaterede links