Infineon N-Kanal, MOSFET, 85 A 100 V, 8 ben, PG-WHSON-8, OptiMOS IQE065N10NM5SCATMA1

Infineon MOSFET har en OptiMOS 5 Power Transistor, der er udviklet til højtydende applikationer og giver robuste muligheder for synkron ensretning til switch mode-strømforsyninger. Denne N-kanal-MOSFET har en kompakt PG WHSON 8-pakke, der er specialdesignet til at håndtere højere effektniveauer og samtidig sikre maksimal effektivitet og pålidelighed. Den har en unik lavinetestcertificering og overlegen termisk modstand, hvilket gør den ideel til industrielle anvendelser, hvor ydeevnen er afgørende. Med en drain source-spænding på 100 V og en imponerende lav on state-modstand skiller denne transistor sig ud på markedet. Dens banebrydende design sikrer, at den lever op til de strenge standarder i IEC60947 5 2 og RoHS, og dermed imødekommer miljøbevidste producenter.

Optimeret til højeffektiv SMPS
100% lavinetestet for pålidelighed
Overlegen termisk ydeevne sammenlignet med konkurrenterne
Pb-fri blybelægning til overholdelse af miljøkrav
Overholder RoHS for reduceret økologisk fodaftryk
Halogenfri konstruktion minimerer miljøpåvirkningen
Skræddersyet til strenge industristandarder