Infineon Type P-Kanal, MOSFET, -19.5 A 60 V Forbedring, 8 Ben, PG-TSDSON-8FL, OptiMOS Power Transistor Nej
- RS-varenummer:
- 284-806
- Producentens varenummer:
- ISZ810P06LMATMA1
- Brand:
- Infineon
Kan ikke leveres i øjeblikket
Beklager, men vi ved ikke, hvornår dette er på lager igen.
- RS-varenummer:
- 284-806
- Producentens varenummer:
- ISZ810P06LMATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | -19.5A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | PG-TSDSON-8FL | |
| Serie | OptiMOS Power Transistor | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 81mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | ±20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 83W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS Compliant | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id -19.5A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype PG-TSDSON-8FL | ||
Serie OptiMOS Power Transistor | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 81mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. ±20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 83W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS Compliant | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon MOSFET er en avanceret effekttransistor, der giver fremragende ydeevne og pålidelighed, hvilket gør den til et ideelt valg til krævende industrielle anvendelser. Infineon OptiMOS Power Transistor-serien udmærker sig ved energieffektivitet med sin lave modstandskarakteristik, der sikrer minimalt energitab under drift. Dens robuste design er fuldt kvalificeret iht. JEDEC-standarder, hvilket giver ro i sindet til ingeniører, der søger holdbare komponenter. Den arbejder ved 60 V og er skræddersyet til højtydende applikationer, samtidig med at den har lav termisk modstand, hvilket giver mulighed for effektiv varmestyring.
Konfiguration af P-kanaler optimerer strømstyringen
Kompatibilitet på logikniveau for nem tilslutning
Lavine-testet for pålidelighed under stress
Pb-fri blybelægning opfylder miljøkrav
Halogenfri konstruktion understøtter renere produktion
Forbedrede termiske egenskaber for ensartet drift
Høj kontinuerlig afløbsstrøm til forskellige anvendelser
Relaterede links
- Infineon P-Kanal 19.5 A 60 V PG-TSDSON-8 FL, OptiMOS Power Transistor ISZ810P06LMATMA1
- Infineon P-Kanal 2 8 ben OptiMOS Power Transistor ISZ15EP15LMATMA1
- Infineon P-Kanal 5 8 ben OptiMOS Power Transistor ISZ75DP15LMATMA1
- Infineon P-Kanal 6 8 ben OptiMOS Power Transistor ISZ56DP15LMATMA1
- Infineon P-Kanal 10 8 ben OptiMOS Power Transistor ISZ24DP10LMATMA1
- Infineon N-Kanal 24 A 120 V PG-TSDSON-8, OptiMOS 6 Power Transistor ISZ330N12LM6ATMA1
- Infineon N-Kanal 62 A 120 V PG-TSDSON-8, OptiMOS 6 Power Transistor ISZ106N12LM6ATMA1
- Infineon N-Kanal 61 A, PG-TSDSON-8 FL BSZ0506NSATMA1
