Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 62 A 120 V Forbedring, 8 Ben, PG-TSDSON-8, OptiMOS 6 Power Transistor
- RS-varenummer:
- 285-060
- Producentens varenummer:
- ISZ106N12LM6ATMA1
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 rulle af 5000 enheder)*
Kr. 44.285,00
(ekskl. moms)
Kr. 55.355,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 12. juli 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 5000 + | Kr. 8,857 | Kr. 44.285,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 285-060
- Producentens varenummer:
- ISZ106N12LM6ATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 62A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 120V | |
| Emballagetype | PG-TSDSON-8 | |
| Serie | OptiMOS 6 Power Transistor | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 10.6mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 94W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS Compliant | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 62A | ||
Drain source spænding maks. Vds 120V | ||
Emballagetype PG-TSDSON-8 | ||
Serie OptiMOS 6 Power Transistor | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 10.6mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 94W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS Compliant | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon MOSFET er en effekttransistor, der skiller sig ud i højtydende applikationer, designet til at imødekomme behovene i moderne elektroniske systemer. Dens avancerede N-kanalteknologi giver bemærkelsesværdig effektivitet og pålidelighed, hvilket gør den velegnet til højfrekvent skifteoperation. Dette produkt er fremstillet til professionelle i marken og kombinerer lav modstand med overlegne gate-ladningsegenskaber. Det gør den til et velegnet valg til synkron ensretning og industrielle anvendelser.
Meget lav modstand forbedrer effektiviteten
Optimeret til højfrekvente skift
Høj lavinenergiklassificering for pålidelighed
Fremragende portafgift for hurtig respons
Pb-fri blybelægning for overensstemmelse
Fungerer fra 55°C til 175°C
MSL 1 klassificeret for nem fremstilling
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 62 A 120 V Forbedring PG-TSDSON-8, OptiMOS 6 Power Transistor
- Infineon Type N-Kanal 24 A 120 V Forbedring PG-TSDSON-8, OptiMOS 6 Power Transistor
- Infineon Type P-Kanal -19.5 A 60 V Forbedring PG-TSDSON-8FL, OptiMOS Power Transistor
- Infineon Type N-Kanal 142 A 30 V Forbedring PG-TSDSON-8FL, OptiMOS
- Infineon Type N-Kanal 106 A 30 V Forbedring PG-TSDSON-8FL, OptiMOS
- Infineon Type P-Kanal -22 A 150 V Forbedring PG-TDSON-8, OptiMOS Power Transistor
- Infineon Type P-Kanal -32 A 100 V Forbedring PG-TDSON-8, OptiMOS Power Transistor
- Infineon Type P-Kanal -59 A 60 V Forbedring PG-TDSON-8, OptiMOS Power Transistor