Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 142 A 30 V Forbedring, 8 Ben, PG-TSDSON-8FL, OptiMOS
- RS-varenummer:
- 273-5246
- Producentens varenummer:
- BSZ0901NSIATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 37,85
(ekskl. moms)
Kr. 47,30
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 95 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 7,57 | Kr. 37,85 |
| 50 - 495 | Kr. 6,344 | Kr. 31,72 |
| 500 - 995 | Kr. 5,40 | Kr. 27,00 |
| 1000 - 2495 | Kr. 5,326 | Kr. 26,63 |
| 2500 + | Kr. 5,236 | Kr. 26,18 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 273-5246
- Producentens varenummer:
- BSZ0901NSIATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 142A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Emballagetype | PG-TSDSON-8FL | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 2.1mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 69W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 41nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | DIN IEC 68-1: 55/175/56, IEC61249-2-21, RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 142A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Serie OptiMOS | ||
Emballagetype PG-TSDSON-8FL | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 2.1mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 69W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 41nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser DIN IEC 68-1: 55/175/56, IEC61249-2-21, RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon MOSFET er en N-kanals effekt MOSFET. Denne MOSFET har en integreret monolitisk Schottky-lignende diode. Den er kvalificeret i overensstemmelse med JEDEC til målapplikationer, og den er 100 procent lavinetestet. Optimeret SyncFET til højtydende buck-konverter.
Halogenfri
I overensstemmelse med RoHS
Blyfri blybelægning
Meget lav modstand ved tænding
Fremragende termisk modstandsdygtighed
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 142 A 30 V Forbedring PG-TSDSON-8FL, OptiMOS
- Infineon Type N-Kanal 106 A 30 V Forbedring PG-TSDSON-8FL, OptiMOS
- Infineon Type P-Kanal -19.5 A 60 V Forbedring PG-TSDSON-8FL, OptiMOS Power Transistor
- Infineon Type N-Kanal 40 A 30 V Forbedring PG-TSDSON-8FL, ISZ
- Infineon Type N-Kanal 40 A 30 V Forbedring PG-TSDSON-8FL, ISZ
- Infineon Type N-Kanal 26 A 200 V Forbedring PG-TSDSON-8FL, ISZ
- Infineon Type N-Kanal 54 A 135 V Forbedring PG-TSDSON-8FL, ISZ
- Infineon Type N-Kanal 24 A 120 V Forbedring PG-TSDSON-8, OptiMOS 6 Power Transistor