Infineon Type N-Kanal, OptiMOSTM Power-MOSFET, 40 A 30 V Forbedring, 8 Ben, PG-TSDSON-8FL, ISZ Nej
- RS-varenummer:
- 273-3044
- Producentens varenummer:
- ISZ040N03L5ISATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 25 enheder)*
Kr. 83,975
(ekskl. moms)
Kr. 104,975
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 5.000 enhed(er) afsendes fra 12. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | Kr. 3,359 | Kr. 83,98 |
| 50 - 475 | Kr. 3,10 | Kr. 77,50 |
| 500 - 975 | Kr. 2,881 | Kr. 72,03 |
| 1000 - 2475 | Kr. 2,83 | Kr. 70,75 |
| 2500 + | Kr. 2,768 | Kr. 69,20 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 273-3044
- Producentens varenummer:
- ISZ040N03L5ISATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | OptiMOSTM Power-MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 40A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | PG-TSDSON-8FL | |
| Serie | ISZ | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 4mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.7V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 17nC | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 37W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS, JEDEC, IEC61249‑2‑21 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype OptiMOSTM Power-MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 40A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype PG-TSDSON-8FL | ||
Serie ISZ | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 4mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.7V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 17nC | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 37W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS, JEDEC, IEC61249‑2‑21 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineons lavspændings-effekt-MOSFET'er giver bred tilgængelighed og konkurrencedygtigt pris/ydeevne-forhold.
Giver mulighed for omkostningseffektive løsninger
Hurtig forsendelse
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 40 A 30 V Forbedring PG-TSDSON-8FL, ISZ Nej ISZ040N03L5ISATMA1
- Infineon Type N-Kanal 40 A 30 V Forbedring PG-TSDSON-8FL, ISZ
- Infineon Type N-Kanal 40 A 30 V Forbedring PG-TSDSON-8FL, ISZ ISZ019N03L5SATMA1
- Infineon Type N-Kanal 26 A 200 V Forbedring PG-TSDSON-8FL, ISZ Nej ISZ520N20NM6ATMA1
- Infineon Type N-Kanal 54 A 135 V Forbedring PG-TSDSON-8FL, ISZ Nej ISZ143N13NM6ATMA1
- Infineon Type N-Kanal 72 A 30 V Forbedring PG-TSDSON-8, ISZ ISZ056N03LF2SATMA1
- Infineon Type N-Kanal 63 A 100 V Forbedring PG-TSDSON-8, ISZ Nej ISZ113N10NM5LF2ATMA1
- Infineon Type N-Kanal 142 A 30 V Forbedring PG-TSDSON-8FL, OptiMOS Nej
