Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 63 A 100 V Forbedring, 8 Ben, PG-TSDSON-8, ISZ
- RS-varenummer:
- 349-154
- Producentens varenummer:
- ISZ113N10NM5LF2ATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 68,29
(ekskl. moms)
Kr. 85,36
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 5.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 13,658 | Kr. 68,29 |
| 50 - 95 | Kr. 12,986 | Kr. 64,93 |
| 100 - 495 | Kr. 12,028 | Kr. 60,14 |
| 500 - 995 | Kr. 11,056 | Kr. 55,28 |
| 1000 + | Kr. 10,666 | Kr. 53,33 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 349-154
- Producentens varenummer:
- ISZ113N10NM5LF2ATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 63A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Serie | ISZ | |
| Emballagetype | PG-TSDSON-8 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 11.3mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 100W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 23nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | IEC61249‑2‑21, JEDEC, RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 63A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Serie ISZ | ||
Emballagetype PG-TSDSON-8 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 11.3mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 100W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 23nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser IEC61249‑2‑21, JEDEC, RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
Infineon OptiMOS Linear FET er en revolutionerende tilgang, der løser kompromiset mellem on-state-modstand og lineær tilstand. Kombineret med den billige PQFN 3,3x3,3-pakke med lav profil er den beregnet til blød start og strømbegrænsning i Power over Ethernet (PoE)-applikationer.
Bredt sikkert arbejdsområde
Lav RDS(on)
Høj maks. impulsstrøm
Høj maks. kontinuerlig strøm
Fås i lille pakke med lav profil
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 72 A 30 V Forbedring PG-TSDSON-8, ISZ
- Infineon Type N-Kanal 40 A 30 V Forbedring PG-TSDSON-8FL, ISZ
- Infineon Type N-Kanal 128 A 30 V Forbedring PG-TSDSON-8, ISZ
- Infineon Type N-Kanal 109 A 30 V Forbedring PG-TSDSON-8, ISZ
- Infineon Type N-Kanal 40 A 30 V Forbedring PG-TSDSON-8FL, ISZ
- Infineon Type N-Kanal 26 A 200 V Forbedring PG-TSDSON-8FL, ISZ
- Infineon Type N-Kanal 54 A 135 V Forbedring PG-TSDSON-8FL, ISZ
- Infineon Type N-Kanal 11.3 A 200 V Forbedring PG-TSDSON-8, BSZ12DN20NS3 G