Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 63 A 100 V Forbedring, 8 Ben, PG-TSDSON-8, ISZ Nej ISZ113N10NM5LF2ATMA1

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 77,28

(ekskl. moms)

Kr. 96,60

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 5.000 enhed(er) afsendes fra 12. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 45Kr. 15,456Kr. 77,28
50 - 95Kr. 14,69Kr. 73,45
100 - 495Kr. 13,598Kr. 67,99
500 - 995Kr. 12,506Kr. 62,53
1000 +Kr. 12,042Kr. 60,21

*Vejledende pris

RS-varenummer:
349-154
Producentens varenummer:
ISZ113N10NM5LF2ATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

63A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Serie

ISZ

Emballagetype

PG-TSDSON-8

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

11.3mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

100W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

23nC

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Portkildespænding maks.

20 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

IEC61249‑2‑21, JEDEC, RoHS

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
MY
Infineon OptiMOS Linear FET er en revolutionerende tilgang, der løser kompromiset mellem on-state-modstand og lineær tilstand. Kombineret med den billige PQFN 3,3x3,3-pakke med lav profil er den beregnet til blød start og strømbegrænsning i Power over Ethernet (PoE)-applikationer.

Bredt sikkert arbejdsområde

Lav RDS(on)

Høj maks. impulsstrøm

Høj maks. kontinuerlig strøm

Fås i lille pakke med lav profil

Relaterede links