Infineon Type N-Kanal, Effekttransistor, 109 A 30 V Forbedring, 8 Ben, PG-TSDSON-8, ISZ Nej ISZ033N03LF2SATMA1
- RS-varenummer:
- 348-903
- Producentens varenummer:
- ISZ033N03LF2SATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 51,69
(ekskl. moms)
Kr. 64,61
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 5.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | Kr. 5,169 | Kr. 51,69 |
| 100 - 240 | Kr. 4,907 | Kr. 49,07 |
| 250 - 490 | Kr. 4,548 | Kr. 45,48 |
| 500 - 990 | Kr. 4,181 | Kr. 41,81 |
| 1000 + | Kr. 4,032 | Kr. 40,32 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 348-903
- Producentens varenummer:
- ISZ033N03LF2SATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | Effekttransistor | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 109A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | PG-TSDSON-8 | |
| Serie | ISZ | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 3.3mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 21nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 71W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | IEC61249‑2‑21, RoHS, JEDEC | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype Effekttransistor | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 109A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype PG-TSDSON-8 | ||
Serie ISZ | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 3.3mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 21nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 71W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser IEC61249‑2‑21, RoHS, JEDEC | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Infineon StrongIRFET 2 power MOSFET 30 V i PQFN 3,3 x 3,3-pakke. Infineons StrongIRFET 2 power MOSFET 30 V-teknologi har klassens bedste RDS(on) på 3,3 mOhm i en PQFN 3,3 x 3,3-pakke. Dette produkt henvender sig til en bred vifte af applikationer fra lav til høj skiftefrekvens.
Produkter til generelle formål
Fremragende robusthed
Overlegen pris/ydelsesforhold
Bred tilgængelighed hos distributører
Standardpakker og pin-out
Høje produktions- og leveringsstandarder
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 128 A 30 V Forbedring PG-TSDSON-8, ISZ Nej ISZ028N03LF2SATMA1
- Infineon Type N-Kanal 26 A 200 V Forbedring PG-TSDSON-8FL, ISZ Nej ISZ520N20NM6ATMA1
- Infineon Type N-Kanal 54 A 135 V Forbedring PG-TSDSON-8FL, ISZ Nej ISZ143N13NM6ATMA1
- Infineon Type N-Kanal 72 A 30 V Forbedring PG-TSDSON-8, ISZ ISZ056N03LF2SATMA1
- Infineon Type N-Kanal 63 A 100 V Forbedring PG-TSDSON-8, ISZ Nej ISZ113N10NM5LF2ATMA1
- Infineon Type N-Kanal 40 A 30 V Forbedring PG-TSDSON-8FL, ISZ
- Infineon Type N-Kanal 40 A 30 V Forbedring PG-TSDSON-8FL, ISZ ISZ019N03L5SATMA1
- Infineon Type N-Kanal 40 A 30 V Forbedring PG-TSDSON-8FL, ISZ Nej
