Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 72 A 30 V Forbedring, 8 Ben, PG-TSDSON-8, ISZ
- RS-varenummer:
- 348-900
- Producentens varenummer:
- ISZ056N03LF2SATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 20 enheder)*
Kr. 67,26
(ekskl. moms)
Kr. 84,08
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 5.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 20 - 180 | Kr. 3,363 | Kr. 67,26 |
| 200 - 480 | Kr. 3,194 | Kr. 63,88 |
| 500 - 980 | Kr. 2,959 | Kr. 59,18 |
| 1000 - 1980 | Kr. 2,723 | Kr. 54,46 |
| 2000 + | Kr. 2,622 | Kr. 52,44 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 348-900
- Producentens varenummer:
- ISZ056N03LF2SATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 72A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | PG-TSDSON-8 | |
| Serie | ISZ | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 5.6mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 7.4nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 52W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | IEC61249‑2‑21, JEDEC, RoHS | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 72A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype PG-TSDSON-8 | ||
Serie ISZ | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 5.6mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 7.4nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 52W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser IEC61249‑2‑21, JEDEC, RoHS | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Infineon StrongIRFET 2 power MOSFET 30 V i PQFN 3,3 x 3,3-pakke. Infineons StrongIRFET 2 power MOSFET 30 V-teknologi har klassens bedste RDS(on) på 5,6 mOhm i en PQFN 3,3 x 3,3-pakke. Dette produkt henvender sig til en bred vifte af applikationer fra lav til høj skiftefrekvens.
Produkter til generelle formål
Fremragende robusthed
Overlegen pris/ydelsesforhold
Bred tilgængelighed hos distributører
Standardpakker og pin-out
Høje produktions- og leveringsstandarder
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 63 A 100 V Forbedring PG-TSDSON-8, ISZ
- Infineon Type N-Kanal 40 A 30 V Forbedring PG-TSDSON-8FL, ISZ
- Infineon Type N-Kanal 128 A 30 V Forbedring PG-TSDSON-8, ISZ
- Infineon Type N-Kanal 109 A 30 V Forbedring PG-TSDSON-8, ISZ
- Infineon Type N-Kanal 40 A 30 V Forbedring PG-TSDSON-8FL, ISZ
- Infineon Type N-Kanal 26 A 200 V Forbedring PG-TSDSON-8FL, ISZ
- Infineon Type N-Kanal 54 A 135 V Forbedring PG-TSDSON-8FL, ISZ
- Infineon Type N-Kanal 11.3 A 200 V Forbedring PG-TSDSON-8, BSZ12DN20NS3 G
