Infineon Type N-Kanal, Effekttransistor, 26 A 200 V Forbedring, 8 Ben, PG-TSDSON-8FL, ISZ

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 61,64

(ekskl. moms)

Kr. 77,05

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 16. april 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 45Kr. 12,328Kr. 61,64
50 - 95Kr. 11,728Kr. 58,64
100 - 495Kr. 10,846Kr. 54,23
500 - 995Kr. 9,978Kr. 49,89
1000 +Kr. 9,62Kr. 48,10

*Vejledende pris

RS-varenummer:
349-157
Producentens varenummer:
ISZ520N20NM6ATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

Effekttransistor

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

26A

Drain source spænding maks. Vds

200V

Serie

ISZ

Emballagetype

PG-TSDSON-8FL

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

52mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

9.9nC

Effektafsættelse maks. Pd

88W

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

IEC61249‑2‑21, JEDEC, J-STD-020, RoHS

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
MY
Infineon OptiMOS 6 MOSFET sætter den nye teknologiske standard. Det imødekommer behovet for høj effekttæthed, høj effektivitet og høj pålidelighed. OptiMOS 6 200 V-teknologien er designet til optimal ydeevne i motordrevne applikationer som LEV, gaffeltrucks og droner. Den nye OptiMOS 6 har branchens førende RDS(on), forbedret switching og strømdelingskapacitet, hvilket muliggør høj effekttæthed, mindre parallelisering og fremragende EMI-ydelse.

Lavt ledningstab

Lavt skiftetab

Stabil drift med forbedret EMI

Færre paralleller er påkrævet

Bedre strømdeling ved parallelkobling

Miljøvenlig

Relaterede links