Infineon Type N-Kanal, Effekttransistor, 26 A 200 V Forbedring, 8 Ben, PG-TSDSON-8FL, ISZ
- RS-varenummer:
- 349-157
- Producentens varenummer:
- ISZ520N20NM6ATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 61,64
(ekskl. moms)
Kr. 77,05
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 5.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 12,328 | Kr. 61,64 |
| 50 - 95 | Kr. 11,728 | Kr. 58,64 |
| 100 - 495 | Kr. 10,846 | Kr. 54,23 |
| 500 - 995 | Kr. 9,978 | Kr. 49,89 |
| 1000 + | Kr. 9,62 | Kr. 48,10 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 349-157
- Producentens varenummer:
- ISZ520N20NM6ATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | Effekttransistor | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 26A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 200V | |
| Emballagetype | PG-TSDSON-8FL | |
| Serie | ISZ | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 52mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 88W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 9.9nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | IEC61249‑2‑21, JEDEC, J-STD-020, RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype Effekttransistor | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 26A | ||
Drain source spænding maks. Vds 200V | ||
Emballagetype PG-TSDSON-8FL | ||
Serie ISZ | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 52mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 88W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 9.9nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser IEC61249‑2‑21, JEDEC, J-STD-020, RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
Infineon OptiMOS 6 MOSFET sætter den nye teknologiske standard. Det imødekommer behovet for høj effekttæthed, høj effektivitet og høj pålidelighed. OptiMOS 6 200 V-teknologien er designet til optimal ydeevne i motordrevne applikationer som LEV, gaffeltrucks og droner. Den nye OptiMOS 6 har branchens førende RDS(on), forbedret switching og strømdelingskapacitet, hvilket muliggør høj effekttæthed, mindre parallelisering og fremragende EMI-ydelse.
Lavt ledningstab
Lavt skiftetab
Stabil drift med forbedret EMI
Færre paralleller er påkrævet
Bedre strømdeling ved parallelkobling
Miljøvenlig
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 54 A 135 V Forbedring PG-TSDSON-8FL, ISZ
- Infineon Type N-Kanal 40 A 30 V Forbedring PG-TSDSON-8FL, ISZ
- Infineon Type N-Kanal 128 A 30 V Forbedring PG-TSDSON-8, ISZ
- Infineon Type N-Kanal 109 A 30 V Forbedring PG-TSDSON-8, ISZ
- Infineon Type N-Kanal 40 A 30 V Forbedring PG-TSDSON-8FL, ISZ
- Infineon Type N-Kanal 72 A 30 V Forbedring PG-TSDSON-8, ISZ
- Infineon Type N-Kanal 63 A 100 V Forbedring PG-TSDSON-8, ISZ
- Infineon Type N-Kanal 142 A 30 V Forbedring PG-TSDSON-8FL, OptiMOS