Infineon Type N-Kanal, Effekttransistor, 26 A 200 V Forbedring, 8 Ben, PG-TSDSON-8FL, ISZ Nej ISZ520N20NM6ATMA1

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 69,96

(ekskl. moms)

Kr. 87,45

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 20. april 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 45Kr. 13,992Kr. 69,96
50 - 95Kr. 13,30Kr. 66,50
100 - 495Kr. 12,312Kr. 61,56
500 - 995Kr. 11,34Kr. 56,70
1000 +Kr. 10,906Kr. 54,53

*Vejledende pris

RS-varenummer:
349-157
Producentens varenummer:
ISZ520N20NM6ATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

Effekttransistor

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

26A

Drain source spænding maks. Vds

200V

Serie

ISZ

Emballagetype

PG-TSDSON-8FL

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

52mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1V

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

9.9nC

Effektafsættelse maks. Pd

88W

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

IEC61249‑2‑21, JEDEC, J-STD-020, RoHS

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
MY
Infineon OptiMOS 6 MOSFET sætter den nye teknologiske standard. Det imødekommer behovet for høj effekttæthed, høj effektivitet og høj pålidelighed. OptiMOS 6 200 V-teknologien er designet til optimal ydeevne i motordrevne applikationer som LEV, gaffeltrucks og droner. Den nye OptiMOS 6 har branchens førende RDS(on), forbedret switching og strømdelingskapacitet, hvilket muliggør høj effekttæthed, mindre parallelisering og fremragende EMI-ydelse.

Lavt ledningstab

Lavt skiftetab

Stabil drift med forbedret EMI

Færre paralleller er påkrævet

Bedre strømdeling ved parallelkobling

Miljøvenlig

Relaterede links