Infineon Type N-Kanal, Effekttransistor, 128 A 30 V Forbedring, 8 Ben, PG-TSDSON-8, ISZ

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 82,67

(ekskl. moms)

Kr. 103,34

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 4.950 enhed(er) afsendes fra 02. marts 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 - 90Kr. 8,267Kr. 82,67
100 - 240Kr. 7,854Kr. 78,54
250 - 490Kr. 7,271Kr. 72,71
500 - 990Kr. 6,695Kr. 66,95
1000 +Kr. 6,44Kr. 64,40

*Vejledende pris

RS-varenummer:
348-902
Producentens varenummer:
ISZ028N03LF2SATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

Effekttransistor

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

128A

Drain source spænding maks. Vds

30V

Emballagetype

PG-TSDSON-8

Serie

ISZ

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

2.8mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

21nC

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

83W

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

IEC61249‑2‑21, JEDEC, RoHS

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN
Infineon StrongIRFET 2 power MOSFET 30 V i PQFN 3,3 x 3,3-pakke. Den har klassens bedste RDS(on) på 2,8 mOhm i en PQFN 3,3 x 3,3-pakke. Dette produkt henvender sig til en bred vifte af applikationer fra lav til høj skiftefrekvens. Sammenlignet med den tidligere teknologi opnår den en forbedring af RDS(on) på op til 40 %, samtidig med at den forbedrer FOM med op til 60 % og har en fremragende robusthed.

Produkter til generelle formål

Fremragende robusthed

Overlegen pris/ydelsesforhold

Bred tilgængelighed hos distributører

Standardpakker og pin-out

Høje produktions- og leveringsstandarder

Relaterede links