Infineon Type N-Kanal, Effekttransistor, 128 A 30 V Forbedring, 8 Ben, PG-TSDSON-8, ISZ Nej ISZ028N03LF2SATMA1

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 82,67

(ekskl. moms)

Kr. 103,34

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 4.950 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 - 90Kr. 8,267Kr. 82,67
100 - 240Kr. 7,854Kr. 78,54
250 - 490Kr. 7,271Kr. 72,71
500 - 990Kr. 6,695Kr. 66,95
1000 +Kr. 6,44Kr. 64,40

*Vejledende pris

RS-varenummer:
348-902
Producentens varenummer:
ISZ028N03LF2SATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

Effekttransistor

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

128A

Drain source spænding maks. Vds

30V

Emballagetype

PG-TSDSON-8

Serie

ISZ

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

2.8mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1V

Effektafsættelse maks. Pd

83W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

21nC

Portkildespænding maks.

20 V

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

IEC61249‑2‑21, JEDEC, RoHS

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN
Infineon StrongIRFET 2 power MOSFET 30 V i PQFN 3,3 x 3,3-pakke. Den har klassens bedste RDS(on) på 2,8 mOhm i en PQFN 3,3 x 3,3-pakke. Dette produkt henvender sig til en bred vifte af applikationer fra lav til høj skiftefrekvens. Sammenlignet med den tidligere teknologi opnår den en forbedring af RDS(on) på op til 40 %, samtidig med at den forbedrer FOM med op til 60 % og har en fremragende robusthed.

Produkter til generelle formål

Fremragende robusthed

Overlegen pris/ydelsesforhold

Bred tilgængelighed hos distributører

Standardpakker og pin-out

Høje produktions- og leveringsstandarder

Relaterede links