Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 50 A 1200 V Forbedring, 23 Ben, AG-EASY1B, EasyDUAL
- RS-varenummer:
- 284-822
- Producentens varenummer:
- FF17MR12W1M1HB11BPSA1
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 enhed)*
Kr. 1.112,28
(ekskl. moms)
Kr. 1.390,35
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 24 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 + | Kr. 1.112,28 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 284-822
- Producentens varenummer:
- FF17MR12W1M1HB11BPSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 50A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 1200V | |
| Emballagetype | AG-EASY1B | |
| Serie | EasyDUAL | |
| Monteringstype | Skrueterminal | |
| Benantal | 23 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 34.7mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Portkildespænding maks. | 23 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 20mW | |
| Gennemgangsspænding Vf | 5.35V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 0.149μC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | IEC 60749, IEC 60747, IEC 60068 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 50A | ||
Drain source spænding maks. Vds 1200V | ||
Emballagetype AG-EASY1B | ||
Serie EasyDUAL | ||
Monteringstype Skrueterminal | ||
Benantal 23 | ||
Drain source modstand maks. Rds 34.7mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Portkildespænding maks. 23 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 20mW | ||
Gennemgangsspænding Vf 5.35V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 0.149μC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser IEC 60749, IEC 60747, IEC 60068 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineons MOSFET-modul repræsenterer et betydeligt fremskridt inden for effekthalvlederteknologi, der er designet til at opfylde de strenge krav til højfrekvente switching-applikationer. Dette innovative modul indeholder CoolSiC trench MOSFET'er, der leverer uovertruffen effektivitet og pålidelighed. Med et robust design, der er skræddersyet til industrielle anvendelser, sikrer den lave koblingstab og fremragende termisk ydeevne. Den integrerede PressFIT-kontaktteknologi forenkler installationen, samtidig med at der opretholdes en sikker forbindelse. Dette modul er et ideelt valg til anvendelser som f.eks. DC/DC-konvertere og UPS-systemer, der revolutionerer energistyring med sin kompakte, holdbare konstruktion.
Lavt induktivt design optimerer den dynamiske ydeevne
Integreret temperatursensor øger sikkerheden
Robust montering sikrer pålidelighed i krævende miljøer
Kvalificeret til industrielle anvendelser i henhold til IEC-standarder
Ideel til jævnstrømsopladning i elbiler
Strømlinet installation med PressFIT-teknologi
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 50 A 1200 V Forbedring AG-EASY1B, EasyDUAL
- Infineon N-Kanal 25 A 1200 V AG-EASY1B, EasyDUAL FF33MR12W1M1HB11BPSA1
- Infineon N-Kanal 50 A 1200 V AG-EASY1B, EasyDUAL FF17MR12W1M1HPB11BPSA1
- Infineon N-Kanal 25 A 1200 V AG-EASY1B, EasyDUAL FF33MR12W1M1HPB11BPSA1
- Infineon N-Kanal 50 A 1200 V AG-EASY1B, EasyDUAL FF17MR12W1M1HB70BPSA1
- Infineon N-Kanal 50 A 1200 V AG-EASY1B, EasyPACK DF8MR12W1M1HFB67BPSA1
- Infineon N-Kanal 50 A 1200 V AG-EASY1B, EasyPACK DF17MR12W1M1HFB68BPSA1
- Infineon N-Kanal 25 A 1200 V AG-EASY1B, EasyPACK DF11MR12W1M1HFB67BPSA1