Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 63 A 650 V Forbedring, 8 Ben, PG-HSOF-8, 650V CoolMOS CFD7 SJ Power Device

Infineon MOSFET er en banebrydende MOSFET designet til højeffektive switching-applikationer. Dette produkt er et eksempel på fremragende termisk ydeevne, hvilket gør det velegnet til brug i krævende miljøer som f.eks. server- og telekommunikationssektorer. Med sin innovative CoolMOS CFD7-teknologi lover den enestående pålidelighed og effektivitet, især i resonansswitching-topologier, herunder LLC- og faseskift-fuldbro-applikationer. Denne MOSFET er et fremskridt i forhold til sin forgænger med forbedrede skifteegenskaber og en lav on state-modstand, hvilket optimerer effekttætheden og forbedrer den samlede effektivitet af dine designs. Enheden er bygget til at opfylde de strenge standarder for industrielle applikationer og giver fremragende robusthed ved hård kommutation, samtidig med at den opretholder en enestående ydeevne over et bredt temperaturområde.

Ultrahurtig kropsdiode minimerer koblingstab