Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 23 A 600 V Forbedring, 8 Ben, HSOF, 600V CoolMOS G7 SJ
- RS-varenummer:
- 214-4426
- Producentens varenummer:
- IPT60R102G7XTMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 131,41
(ekskl. moms)
Kr. 164,26
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 1.510 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | Kr. 26,282 | Kr. 131,41 |
| 10 - 20 | Kr. 23,654 | Kr. 118,27 |
| 25 - 45 | Kr. 22,076 | Kr. 110,38 |
| 50 - 120 | Kr. 20,762 | Kr. 103,81 |
| 125 + | Kr. 19,186 | Kr. 95,93 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 214-4426
- Producentens varenummer:
- IPT60R102G7XTMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 23A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Emballagetype | HSOF | |
| Serie | 600V CoolMOS G7 SJ | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 102mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 141W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 34nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.8V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 10.1mm | |
| Højde | 2.4mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 23A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Emballagetype HSOF | ||
Serie 600V CoolMOS G7 SJ | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 102mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 141W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 34nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.8V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 10.1mm | ||
Højde 2.4mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Denne Infineon 600V Cool MOS G7 SJ MOSFET kombinerer fordelene ved den forbedrede 600V Cool MOS™ C7 Gold-teknologi, 4-bens Kelvin-kildefunktion og de forbedrede termiske egenskaber for TO-Leadless-pakken (TOLL) for at muliggøre en mulig SMD-løsning til højstrøms-topologier med hårdt skift som f.eks. effektfaktorkorrektion (PFC)
Det giver klassens bedste R DS (ON) med det mindste footprint
Den har givet mulighed for at reducere produktionsomkostningerne
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 23 A 600 V Forbedring HSOF, 600V CoolMOS G7 SJ
- Infineon Type N-Kanal 63 A 650 V Forbedring PG-HSOF-8, 650V CoolMOS CFD7 SJ Power Device
- Infineon EVAL500W5GPSUTOBO1 Strømforsyning til CoolMOS G7 til SL1002A600SP
- Infineon Type N-Kanal 44 A 600 V Forbedring HSOF, CoolMOS P7
- Infineon Type N-Kanal 2 A 950 V Forbedring TO-251, CoolMOS P7 SJ
- Infineon Type N-Kanal 23 A 650 V Forbedring HSOF, C7 GOLD
- Infineon Type N-Kanal 23 A 600 V Forbedring PG-HSOF-8, IPT
- Infineon Type N-Kanal 23 A 0.82 V Forbedring PG-HSOF-8, IPT