Infineon Type N-Kanal, Effekt MOSFET, 23 A 0.82 V Forbedring, 8 Ben, PG-HSOF-8, IPT
- RS-varenummer:
- 273-2795
- Producentens varenummer:
- IPT60R022S7XTMA1
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 rulle af 2000 enheder)*
Kr. 87.138,00
(ekskl. moms)
Kr. 108.922,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 14. juni 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 2000 + | Kr. 43,569 | Kr. 87.138,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 273-2795
- Producentens varenummer:
- IPT60R022S7XTMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 23A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 0.82V | |
| Serie | IPT | |
| Emballagetype | PG-HSOF-8 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 22mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 390W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.82V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 150nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS, JEDEC | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 23A | ||
Drain source spænding maks. Vds 0.82V | ||
Serie IPT | ||
Emballagetype PG-HSOF-8 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 22mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 390W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.82V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 150nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS, JEDEC | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon MOSFET er en 600 V CoolMOS SJ S7 strømforsyningsenhed. Det muliggør den bedste prisydelse til lavfrekvente switching-anvendelser. CoolMOS S7 har de laveste Rdson-værdier for en HV SJ MOSFET med en tydelig forøgelse af energieffektiviteten. CoolMOS S7 er optimeret til statisk skifte og anvendelser med høj strømstyrke. Den er velegnet til konstruktioner af halvlederrelæer og afbrydere samt til linjens ensretning i SMPS- og invertertopologier.
Blyfri i alt
I overensstemmelse med RoHS
Hurtigere skiftetider
Nem visuel inspektion af ledninger
Minimerede ledningstab
Mere kompakt og nemmere design
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 23 A 0.82 V Forbedring PG-HSOF-8, IPT
- Infineon Type N-Kanal 142 A 600 V Forbedring PG-HSOF-8, IPT
- Infineon Type N-Kanal 23 A 600 V Forbedring PG-HSOF-8, IPT
- Infineon Type N-Kanal 8 A 600 V Forbedring PG-HSOF-8, IPT
- Infineon Type N-Kanal 313 A 60 V Forbedring PG-HSOF-8, IPT
- Infineon Type N-Kanal 331 A 80 V Forbedring PG-HSOF-8, IPT
- Infineon Type N-Kanal 169 A 80 V Forbedring PG-HSOF-8, IPT
- Infineon Type N-Kanal 87 A 200 V Forbedring PG-HSOF-8, IPT