Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 36.5 A 950 V Forbedring, 3 Ben, PG-TO-247, CoolMOS Nej IPW95R130PFD7XKSA1
- RS-varenummer:
- 284-922
- Producentens varenummer:
- IPW95R130PFD7XKSA1
- Brand:
- Infineon
Kan ikke leveres i øjeblikket
Beklager, men vi ved ikke, hvornår dette er på lager igen.
- RS-varenummer:
- 284-922
- Producentens varenummer:
- IPW95R130PFD7XKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 36.5A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 950V | |
| Emballagetype | PG-TO-247 | |
| Serie | CoolMOS | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 130mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | ±20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 227W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS Compliant | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 36.5A | ||
Drain source spænding maks. Vds 950V | ||
Emballagetype PG-TO-247 | ||
Serie CoolMOS | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 130mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. ±20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 227W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS Compliant | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon MOSFET har en avanceret strømforsyningsenhed, der repræsenterer den nyeste innovation inden for super junction-teknologi, specielt designet til krævende anvendelser som f.eks. belysning og industrielle strømforsyninger. Integreringen af ultrahurtige husdioder forbedrer reaktionsdygtigheden, hvilket gør den velegnet til resonante topologier. Med robust ydeevne og overlegen pålidelighed står denne enhed i spidsen for effektivitet i strømstyring. Der er lagt særlig vægt på at reducere reverse recovery charge, hvilket muliggør højere skiftefrekvenser og øget effekttæthed i design.
Integreret fast body-diode sikrer pålidelighed
Klassens bedste termiske ydeevne for effektiv varmeafledning
Holdbar konstruktion fremmer langsigtet stabilitet
Sømløs integration i eksisterende kredsløb
Optimal til højspændingsapplikationer med forbedret sikkerhed
Kompakt indpakning reducerer PCB-fodaftryk og øger fleksibiliteten
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 36.5 A 950 V PG-TO247-3, CoolMOS IPW95R130PFD7XKSA1
- Infineon 211 A 650 V, PG-TO247-3 IPW65R050CFD7AXKSA1
- Infineon 304 A 700 V, PG-TO247-3 IPW65R029CFD7XKSA1
- Infineon 63 A, PG-TO247 IPW65R035CFD7AXKSA1
- Infineon 14 A 950 V, PG-TO251-3-U04 IPU95R450P7AKMA1
- Infineon N-Kanal 54 PG-TO247-3 SPW55N80C3FKSA1
- Infineon PG-TO247, HEXFET IRF150P220AKMA1
- Infineon PG-TO247-4 IMZ120R060M1HXKSA1
