Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 789 A 25 V Forbedring, 9 Ben, PG-TTFN-9, OptiMOS Nej IQDH29NE2LM5CGATMA1

Se alle MOSFET
Kan ikke leveres i øjeblikket
Beklager, men vi ved ikke, hvornår dette er på lager igen.
RS-varenummer:
284-939
Producentens varenummer:
IQDH29NE2LM5CGATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

789A

Drain source spænding maks. Vds

25V

Emballagetype

PG-TTFN-9

Serie

OptiMOS

Monteringstype

Overflade

Benantal

9

Drain source modstand maks. Rds

0.29mΩ

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

±20 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

278W

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

RoHS Compliant

Bilindustristandarder

Nej

Infineon MOSFET har en optimos 5 Power Transistor, der er konstrueret til at levere en enestående ydelse i forskellige industrielle applikationer. Denne banebrydende N-kanaltransistor arbejder ved en maksimal spænding på 25 V, hvilket giver en imponerende lav modstand og forbedret termisk styring. Dens imponerende kapacitet på 789A kontinuerlig strøm gør, at den fungerer effektivt selv under hårde forhold. Den er bygget til at være pålidelig og er fuldt kvalificeret i henhold til JEDEC-standarder, hvilket sikrer lang levetid og udholdenhed i daglig brug.

Avanceret termisk modstand for lang levetid

Nul gate-spænding i afløbsstrømmen minimerer energispild

Robust håndtering af lavinenergi for pålidelighed

Pb-fri og RoHS-kompatibel for miljøvenlighed

Optimeret til applikationer på logisk niveau

Relaterede links