Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 86 A 120 V Forbedring, 8 Ben, PG-TDSON-8, OptiMOS 6 Power Transistor

Se alle MOSFET
Kan ikke leveres i øjeblikket
Beklager, men vi ved ikke, hvornår dette er på lager igen.
RS-varenummer:
285-047
Producentens varenummer:
ISC073N12LM6ATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

86A

Drain source spænding maks. Vds

120V

Emballagetype

PG-TDSON-8

Serie

OptiMOS 6 Power Transistor

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

7.3mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

125W

Portkildespænding maks.

±20 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

RoHS Compliant

Bilindustristandarder

Nej

Infineon MOSFET er en avanceret N-kanals effekttransistor, der udmærker sig i højfrekvente switching-anvendelser. Den er designet med den innovative OptiMOS 6-teknologi og leverer enestående effektivitet og ydeevne. Med en lav on-modstand og en høj lavinenergiklassificering er denne komponent optimeret til krævende industrielle anvendelser og sikrer pålidelig drift selv i udfordrende termiske miljøer. Dens kompakte PG TDSON 8 hus forbedrer yderligere dens brugervenlighed, hvilket gør integrationen i forskellige designs let. Transistoren fungerer problemfrit over et bredt temperaturområde, hvilket giver mulighed for alsidighed i mange applikationer.

N-kanal-design for forbedret ydeevne

Optimeret til højfrekvente skift

Lav modstand øger energieffektiviteten

Høj lavineklassificering sikrer pålidelighed

Kompakt pakke sparer designplads

RoHS-kompatibel for bæredygtighed

MSL 1 for nem lodning

Intern kropsdiode forbedrer funktionaliteten

Relaterede links