STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 167 A 40 V, 8 Ben, PowerFLAT, STL AEC-Q101 STL145N4LF8AG
- RS-varenummer:
- 330-243
- Producentens varenummer:
- STL145N4LF8AG
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 enhed)*
Kr. 9,57
(ekskl. moms)
Kr. 11,96
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 24. juli 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 9,57 |
| 10 - 99 | Kr. 8,60 |
| 100 - 499 | Kr. 7,93 |
| 500 - 999 | Kr. 7,48 |
| 1000 + | Kr. 6,66 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 330-243
- Producentens varenummer:
- STL145N4LF8AG
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 167A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | PowerFLAT | |
| Serie | STL | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 2.6mΩ | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 94W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 28nC | |
| Portkildespænding maks. | 16 V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 167A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype PowerFLAT | ||
Serie STL | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 2.6mΩ | ||
Effektafsættelse maks. Pd 94W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 28nC | ||
Portkildespænding maks. 16 V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
STMicroelectronics N-kanals Power MOSFET i forbedringstilstand designet i Strip FET F8-teknologi med en forbedret trench gate-struktur. Det sikrer en state-of-the-art figure of merit for meget lav on-state modstand og reducerer samtidig interne kapacitanser og gate-ladning for hurtigere og mere effektiv switching.
AEC-Q101 kvalificeret
MSL1 kvalitet
175°C maksimal driftsforbindelsestemperatur
100% lavine testet
Lav gate-ladning Qg
Vådt bord flankepakke
Relaterede links
- STMicroelectronics N-Kanal 167 A 40 V PowerFLAT 5x6, STL STL170N4LF8
- STMicroelectronics N-Kanal 350 A 40 V PowerFLAT 5x6, STL STL320N4F8
- STMicroelectronics N-Kanal 350 A 40 V PowerFLAT 5x6, STL STL325N4F8AG
- STMicroelectronics N-Kanal 290 A 40 V PowerFLAT 5x6, STL STL300N4F8
- STMicroelectronics N-Kanal 154 A 40 V PowerFLAT 5x6, STL STL160N4F8
- STMicroelectronics N-Kanal 154 A 40 V PowerFLAT 5x6, STL STL165N4F8AG
- STMicroelectronics N-Kanal 290 A 40 V PowerFLAT 5x6, STL STL305N4F8AG
- STMicroelectronics N-Kanal 305 A 40 V PowerFLAT 5x6, STL STL305N4LF8AG
