STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 350 A 40 V, 8 Ben, PowerFLAT, STL AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 330-579
- Producentens varenummer:
- STL325N4F8AG
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 enhed)*
Kr. 14,89
(ekskl. moms)
Kr. 18,61
(inkl. moms)
Tilføj 38 enheder for at opnå gratis levering
På lager
- Plus 3.000 enhed(er) afsendes fra 18. februar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 14,89 |
| 10 - 99 | Kr. 13,39 |
| 100 - 499 | Kr. 12,42 |
| 500 - 999 | Kr. 11,52 |
| 1000 + | Kr. 10,25 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 330-579
- Producentens varenummer:
- STL325N4F8AG
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 350A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Serie | STL | |
| Emballagetype | PowerFLAT | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.85mΩ | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 188W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 80nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | AEC-Q101 | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 350A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Serie STL | ||
Emballagetype PowerFLAT | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.85mΩ | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 188W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 80nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser AEC-Q101 | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
RoHS Status: Undtaget
STMicroelectronics N-kanals Power MOSFET i forbedringstilstand designet i STripFET F8-teknologi med en forbedret trench gate-struktur. Den leverer en state-of-the-art værdi med meget lav on-state modstand, reducerede interne kapacitanser og gate-ladning, hvilket muliggør hurtigere og mere effektiv switching.
100% lavine testet
Lav gate-ladning Qg
Relaterede links
- STMicroelectronics Type N-Kanal 350 A 40 V PowerFLAT, STL
- STMicroelectronics Type N-Kanal 167 A 40 V PowerFLAT, STL AEC-Q101
- STMicroelectronics Type N-Kanal 304 A 40 V PowerFLAT, STL AEC-Q101
- STMicroelectronics Type N-Kanal 290 A 40 V PowerFLAT, STL AEC-Q101
- STMicroelectronics Type N-Kanal 55 A 12 V Forbedring PowerFLAT, STL AEC-Q101
- STMicroelectronics Type N-Kanal 154 A 40 V PowerFLAT, STL AEC-Q101
- STMicroelectronics Type N-Kanal 373 A 40 V PowerFLAT (33), STL AEC-Q101
- STMicroelectronics Type N-Kanal 154 A 40 V PowerFLAT, STL
