Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 29 A 1200 V Forbedring, 7 Ben, PG-TO263-7, IMB Nej IMBG120R053M2HXTMA1

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 75,97

(ekskl. moms)

Kr. 94,96

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 1.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 - 9Kr. 75,97
10 - 99Kr. 68,44
100 - 499Kr. 63,06
500 - 999Kr. 58,57
1000 +Kr. 52,36

*Vejledende pris

RS-varenummer:
349-102
Producentens varenummer:
IMBG120R053M2HXTMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

29A

Drain source spænding maks. Vds

1200V

Serie

IMB

Emballagetype

PG-TO263-7

Monteringstype

Overflade

Benantal

7

Drain source modstand maks. Rds

52.6mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

205W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

30nC

Portkildespænding maks.

±25 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

JEDEC47/20/22, RoHS

Højde

4.5mm

Længde

15mm

Bredde

10.2 mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
MY
Infineon CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 er en højtydende siliciumcarbid-MOSFET, der er designet til overlegen effektivitet med meget lave koblingstab. Med en kortslutningsmodstandstid på 2 μs giver enheden en robust beskyttelse mod fejlsituationer. Benchmark-gate-tærskelspændingen (VGS(th)) på 4,2 V sikrer optimal switching-ydelse, hvilket gør den til et fremragende valg til krævende effektapplikationer, der kræver høj effektivitet og pålidelighed.

Robust kropsdiode til hård kommutering

.XT-forbindelsesteknologien giver klassens bedste termiske ydeevne

Bedre energieffektivitet

Optimering af køling

Højere effekttæthed

Nye robusthedsfunktioner

Meget pålidelig

Relaterede links