Infineon N-Kanal, MOSFET, 189 A 1.2 kV Forbedring, 7 Ben, PG-TO263-7, IMB
- RS-varenummer:
- 349-092
- Producentens varenummer:
- IMBG120R008M2HXTMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 243,10
(ekskl. moms)
Kr. 303,88
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 685 enhed(er) afsendes fra 02. november 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 243,10 |
| 10 - 99 | Kr. 218,86 |
| 100 + | Kr. 201,81 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 349-092
- Producentens varenummer:
- IMBG120R008M2HXTMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 189A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 1.2kV | |
| Serie | IMB | |
| Emballagetype | PG-TO263-7 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 7 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 21mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 195nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 25V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 800W | |
| Driftstemperatur maks. | 200°C | |
| Længde | 15mm | |
| Højde | 4.5mm | |
| Standarder/godkendelser | JEDEC47/20/22, RoHS | |
| Bredde | 10.2mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 189A | ||
Drain source spænding maks. Vds 1.2kV | ||
Serie IMB | ||
Emballagetype PG-TO263-7 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 7 | ||
Drain source modstand maks. Rds 21mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 195nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 25V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 800W | ||
Driftstemperatur maks. 200°C | ||
Længde 15mm | ||
Højde 4.5mm | ||
Standarder/godkendelser JEDEC47/20/22, RoHS | ||
Bredde 10.2mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
Infineon IMB seriens MOSFET, 1200 V drain source spænding, 189 A kontinuerlig drain strøm - IMBG120R008M2HXTMA1
Denne MOSFET er en højspændings, N-kanal-forbedringsenhed, der er designet til krævende strøm-switching-miljøer. Den er beregnet til overflademonterede anvendelser, hvor der kræves betydelig strømstyrke og høj temperaturtolerance. Komponenten opfylder anerkendte indkapslingskonventioner og er velegnet til brug i industrielle effekttrin, der kræver robust ledningsevne og koblingsevne.
Egenskaber og fordele:
• 800 W effekttab muliggør vedvarende drift med høj effekt
• 1200 V drain-source-klassificering understøtter højspændingstopologier
• 189 A kontinuerlig afløbsstrøm muliggør kraftig ledning
• 21 mΩ Rds(on) giver lave ledningstab under belastning
• 195 nC typisk gate-ladning, der er velegnet til kobling med høj energi
• 7-benet PG-TO263-7-pakke forenkler overflademontering med høj effekt
• 1200 V drain-source-klassificering understøtter højspændingstopologier
• 189 A kontinuerlig afløbsstrøm muliggør kraftig ledning
• 21 mΩ Rds(on) giver lave ledningstab under belastning
• 195 nC typisk gate-ladning, der er velegnet til kobling med høj energi
• 7-benet PG-TO263-7-pakke forenkler overflademontering med høj effekt
Anvendelser
• Velegnet til industrielle inverter- og konvertertrin
• Ideel til højspændings-switch-mode strømforsyninger
• Anvendes sammen med strømmoduler til motordrev, der kræver høj strøm
• Kan bruges til kraftelektronik med vedvarende energi
• Velegnet til hurtigt skiftende, højenergiske skiftekredsløb
• Ideel til højspændings-switch-mode strømforsyninger
• Anvendes sammen med strømmoduler til motordrev, der kræver høj strøm
• Kan bruges til kraftelektronik med vedvarende energi
• Velegnet til hurtigt skiftende, højenergiske skiftekredsløb
Hvilket temperaturområde kan den fungere på tværs af barske forhold?
Den fungerer fra -55 °C op til 200 °C, hvilket muliggør anvendelse i ekstreme termiske miljøer.
Hvordan påvirker pakketypen monteringen på produktionskort?
PG-TO263-7-formatet til overflademontering giver en kompakt, lavprofilsløsning, der er optimeret til automatiseret lodning og montering af køleelementer.
Hvad er gate-spændingens holdbarhed for styringsinterfaces?
Enheden tillader gate-spændinger på op til 25 V, hvilket giver mulighed for kompatibilitet med almindelige gate-driverudgange.
Er denne enhed en kanalforstærkning eller udtømningstype?
Det er en N-kanal-forstærkningstransistor, der er velegnet til konventionelle gate-drevne switchingtopologier.
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 53 A 1200 V Forbedring PG-TO263-7, IMB
- Infineon N-Kanal 107 A 1200 V Forbedring PG-TO263-7, IMB
- Infineon N-Kanal 52 A 1200 V Forbedring PG-TO263-7, IMB
- Infineon N-Kanal 29 A 1200 V Forbedring PG-TO263-7, IMB
- Infineon N-Kanal 21 A 1200 V Forbedring PG-TO263-7, IMB
- Infineon N-Kanal 21.2 A 1200 V Forbedring PG-TO263-7, IMB
- Infineon N-Kanal 10.5 A 1200 V Forbedring PG-TO263-7, IMB
- Infineon N-Kanal 8.1 A 1200 V Forbedring PG-TO263-7, IMB