Infineon N-Kanal, MOSFET, 8.1 A 1.2 kV Forbedring, 7 Ben, PG-TO263-7, IMB
- RS-varenummer:
- 349-107
- Producentens varenummer:
- IMBG120R234M2HXTMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 70,39
(ekskl. moms)
Kr. 87,99
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 1.000 enhed(er) afsendes fra 02. november 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 35,195 | Kr. 70,39 |
| 20 - 198 | Kr. 31,715 | Kr. 63,43 |
| 200 - 998 | Kr. 29,21 | Kr. 58,42 |
| 1000 - 1998 | Kr. 27,115 | Kr. 54,23 |
| 2000 + | Kr. 24,235 | Kr. 48,47 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 349-107
- Producentens varenummer:
- IMBG120R234M2HXTMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 8.1A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 1.2kV | |
| Emballagetype | PG-TO263-7 | |
| Serie | IMB | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 7 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 622mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 7.9nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 80W | |
| Portkildespænding maks. | 25V | |
| Driftstemperatur maks. | 200°C | |
| Længde | 15mm | |
| Højde | 4.5mm | |
| Standarder/godkendelser | JEDEC47/20/22, RoHS | |
| Bredde | 10.2mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 8.1A | ||
Drain source spænding maks. Vds 1.2kV | ||
Emballagetype PG-TO263-7 | ||
Serie IMB | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 7 | ||
Drain source modstand maks. Rds 622mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 7.9nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 80W | ||
Portkildespænding maks. 25V | ||
Driftstemperatur maks. 200°C | ||
Længde 15mm | ||
Højde 4.5mm | ||
Standarder/godkendelser JEDEC47/20/22, RoHS | ||
Bredde 10.2mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
Infineon IMB seriens MOSFET, 1200 V maksimal drain source-spænding, 80 W maksimal effekttab - IMBG120R234M2HXTMA1
Denne MOSFET er en højspændings N-kanals koblingsenhed, der er designet til overflademonterede strømforsyningsanvendelser. Den leverer kontrolleret ledning til skifte- og konverteringsfunktioner, mens den fungerer over et bredt omgivende område. Komponenten er konfigureret i et syv-benet PG-TO263-7-hus til integration på strømkort og er velegnet, hvor der kræves robust gate-drev og høj blokeringsspænding.
Egenskaber og fordele:
• 1200 V drain-klassificering muliggør højspændingskoblingsanvendelser
• 8,1 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter moderat effektgennemstrømning
• 80 W effekttab muliggør vedvarende termisk belastning
• 622 mΩ lav Rds(on) reducerer ledningstab under drift
• 7,9 nC gate-ladning muliggør relativt hurtige skifteovergange
• 25 V gate-tolerance sikrer kompatibilitet med almindelige gate-drev
• 8,1 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter moderat effektgennemstrømning
• 80 W effekttab muliggør vedvarende termisk belastning
• 622 mΩ lav Rds(on) reducerer ledningstab under drift
• 7,9 nC gate-ladning muliggør relativt hurtige skifteovergange
• 25 V gate-tolerance sikrer kompatibilitet med almindelige gate-drev
Anvendelser
• Anvendes til højspændings DC-DC-konvertere i industrielle systemer
• Velegnet til strømomskiftning i vekselrettere til vedvarende energi
• Ideel til frontender til motordrev med høje spændingsskinner
• Kan bruges til switch-mode strømforsyninger og regulatorer
• Anvendes med termisk styring til kompakte strømmoduler
• Velegnet til strømomskiftning i vekselrettere til vedvarende energi
• Ideel til frontender til motordrev med høje spændingsskinner
• Kan bruges til switch-mode strømforsyninger og regulatorer
• Anvendes med termisk styring til kompakte strømmoduler
Hvilke termiske ekstremer kan denne enhed modstå under drift?
Den er klassificeret til drift mellem -55 °C og 200 °C, hvilket giver mulighed for brug i miljøer med meget lave temperaturer og usædvanligt høje samlings- eller omgivelsesforhold, når den er korrekt monteret og kølet.
Hvordan påvirker benkonfigurationen printkortdesign og montering?
Det 7-benede PG-TO263-7-layout koncentrerer strøm- og gate-forbindelser for effektiv varmeoverførsel til kortet og forenkler routing af drain- og source-spor for strømbaner med lav impedans.
Hvilke standarder og miljømæssige begrænsninger afspejles i produktionen?
Produktionen er i overensstemmelse med JEDEC47/20/22 håndteringsanbefalinger, og enheden opfylder RoHS-kravene for begrænsede stoffer.
Hvordan skal designere tage hensyn til skifteydeevnen i højfrekvente kredsløb?
Brug det typiske 7,9 nC gate-opladningssymbol til at vurdere gate-driverenergi og vælge gate-driver- og dødtidsindstillinger til at balancere koblingstab og elektromagnetisk emissionsstyring.
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 53 A 1200 V Forbedring PG-TO263-7, IMB
- Infineon N-Kanal 189 A 1200 V Forbedring PG-TO263-7, IMB
- Infineon N-Kanal 107 A 1200 V Forbedring PG-TO263-7, IMB
- Infineon N-Kanal 52 A 1200 V Forbedring PG-TO263-7, IMB
- Infineon N-Kanal 29 A 1200 V Forbedring PG-TO263-7, IMB
- Infineon N-Kanal 21 A 1200 V Forbedring PG-TO263-7, IMB
- Infineon N-Kanal 21.2 A 1200 V Forbedring PG-TO263-7, IMB
- Infineon N-Kanal 10.5 A 1200 V Forbedring PG-TO263-7, IMB