Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 8.1 A 1200 V Forbedring, 7 Ben, PG-TO263-7, IMB Nej IMBG120R234M2HXTMA1
- RS-varenummer:
- 349-107
- Producentens varenummer:
- IMBG120R234M2HXTMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 70,34
(ekskl. moms)
Kr. 87,92
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 1.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 35,17 | Kr. 70,34 |
| 20 - 198 | Kr. 31,68 | Kr. 63,36 |
| 200 - 998 | Kr. 29,21 | Kr. 58,42 |
| 1000 - 1998 | Kr. 27,08 | Kr. 54,16 |
| 2000 + | Kr. 24,275 | Kr. 48,55 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 349-107
- Producentens varenummer:
- IMBG120R234M2HXTMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 8.1A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 1200V | |
| Emballagetype | PG-TO263-7 | |
| Serie | IMB | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 7 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 622mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | ±25 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 7.9nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 80W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 200°C | |
| Højde | 4.5mm | |
| Standarder/godkendelser | JEDEC47/20/22, RoHS | |
| Bredde | 10.2 mm | |
| Længde | 15mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 8.1A | ||
Drain source spænding maks. Vds 1200V | ||
Emballagetype PG-TO263-7 | ||
Serie IMB | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 7 | ||
Drain source modstand maks. Rds 622mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. ±25 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 7.9nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 80W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 200°C | ||
Højde 4.5mm | ||
Standarder/godkendelser JEDEC47/20/22, RoHS | ||
Bredde 10.2 mm | ||
Længde 15mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
Infineon CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 er en højtydende siliciumcarbid-MOSFET, der er designet til overlegen effektivitet med meget lave koblingstab. Med en kortslutningsmodstandstid på 2 μs giver enheden en robust beskyttelse mod fejlsituationer. Benchmark-gate-tærskelspændingen (VGS(th)) på 4,2 V sikrer optimal switching-ydelse, hvilket gør den til et fremragende valg til krævende effektapplikationer, der kræver høj effektivitet og pålidelighed.
Robust kropsdiode til hård kommutering
.XT-forbindelsesteknologien giver klassens bedste termiske ydeevne
Bedre energieffektivitet
Optimering af køling
Højere effekttæthed
Nye robusthedsfunktioner
Meget pålidelig
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 189 A 1200 V PG-TO263-7, IMB IMBG120R008M2HXTMA1
- Infineon N-Kanal 87 A 1200 V PG-TO263-7, IMB IMBG120R022M2HXTMA1
- Infineon N-Kanal 14 7 ben IMB IMBG120R181M2HXTMA1
- Infineon N-Kanal 52 A 1200 V PG-TO263-7, IMB IMBG120R040M2HXTMA1
- Infineon N-Kanal 41 A 1200 V PG-TO263-7, IMB IMBG120R053M2HXTMA1
- Infineon N-Kanal 144 A 1200 V PG-TO263-7, IMB IMBG120R012M2HXTMA1
- Infineon N-Kanal 21.2 A 1200 V PG-TO263-7, IMB IMBG120R116M2HXTMA1
- Infineon N-Kanal 7 7 ben IMB IMBG120R026M2HXTMA1