Infineon N-Kanal, MOSFET, 10.5 A 1.2 kV Forbedring, 7 Ben, PG-TO263-7, IMB
- RS-varenummer:
- 349-105
- Producentens varenummer:
- IMBG120R181M2HXTMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 77,94
(ekskl. moms)
Kr. 97,42
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 01. november 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 38,97 | Kr. 77,94 |
| 20 - 198 | Kr. 35,045 | Kr. 70,09 |
| 200 - 998 | Kr. 32,275 | Kr. 64,55 |
| 1000 - 1998 | Kr. 29,995 | Kr. 59,99 |
| 2000 + | Kr. 26,93 | Kr. 53,86 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 349-105
- Producentens varenummer:
- IMBG120R181M2HXTMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 10.5A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 1.2kV | |
| Serie | IMB | |
| Emballagetype | PG-TO263-7 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 7 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 181.4mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 9.7nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 94W | |
| Portkildespænding maks. | 25V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 15mm | |
| Højde | 4.5mm | |
| Standarder/godkendelser | JEDEC47/20/22, RoHS | |
| Bredde | 10.2mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 10.5A | ||
Drain source spænding maks. Vds 1.2kV | ||
Serie IMB | ||
Emballagetype PG-TO263-7 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 7 | ||
Drain source modstand maks. Rds 181.4mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 9.7nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 94W | ||
Portkildespænding maks. 25V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 15mm | ||
Højde 4.5mm | ||
Standarder/godkendelser JEDEC47/20/22, RoHS | ||
Bredde 10.2mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
Infineon CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 er en højtydende siliciumcarbid-MOSFET, der er designet til overlegen effektivitet med meget lave koblingstab. Med en kortslutningsmodstandstid på 2 μs giver enheden en robust beskyttelse mod fejlsituationer. Benchmark-gate-tærskelspændingen (VGS(th)) på 4,2 V sikrer optimal switching-ydelse, hvilket gør den til et fremragende valg til krævende effektapplikationer, der kræver høj effektivitet og pålidelighed.
Robust kropsdiode til hård kommutering
.XT-forbindelsesteknologien giver klassens bedste termiske ydeevne
Bedre energieffektivitet
Optimering af køling
Højere effekttæthed
Nye robusthedsfunktioner
Meget pålidelig
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 53 A 1200 V Forbedring PG-TO263-7, IMB
- Infineon N-Kanal 189 A 1200 V Forbedring PG-TO263-7, IMB
- Infineon N-Kanal 107 A 1200 V Forbedring PG-TO263-7, IMB
- Infineon N-Kanal 52 A 1200 V Forbedring PG-TO263-7, IMB
- Infineon N-Kanal 29 A 1200 V Forbedring PG-TO263-7, IMB
- Infineon N-Kanal 21 A 1200 V Forbedring PG-TO263-7, IMB
- Infineon N-Kanal 21.2 A 1200 V Forbedring PG-TO263-7, IMB
- Infineon N-Kanal 8.1 A 1200 V Forbedring PG-TO263-7, IMB