Infineon N-Kanal, MOSFET, 21.2 A 1.2 kV Forbedring, 7 Ben, PG-TO263-7, IMB
- RS-varenummer:
- 349-104
- Producentens varenummer:
- IMBG120R116M2HXTMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 91,18
(ekskl. moms)
Kr. 113,98
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 992 enhed(er) afsendes fra 02. november 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 45,59 | Kr. 91,18 |
| 20 - 198 | Kr. 41,065 | Kr. 82,13 |
| 200 + | Kr. 37,85 | Kr. 75,70 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 349-104
- Producentens varenummer:
- IMBG120R116M2HXTMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 21.2A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 1.2kV | |
| Emballagetype | PG-TO263-7 | |
| Serie | IMB | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 7 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 307mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 123W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 25V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 14.4nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 4.5mm | |
| Standarder/godkendelser | JEDEC47/20/22, RoHS | |
| Længde | 15mm | |
| Bredde | 10.2mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 21.2A | ||
Drain source spænding maks. Vds 1.2kV | ||
Emballagetype PG-TO263-7 | ||
Serie IMB | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 7 | ||
Drain source modstand maks. Rds 307mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 123W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 25V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 14.4nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 4.5mm | ||
Standarder/godkendelser JEDEC47/20/22, RoHS | ||
Længde 15mm | ||
Bredde 10.2mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
Infineon CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 er en højtydende siliciumcarbid-MOSFET, der er designet til overlegen effektivitet med meget lave koblingstab. Med en kortslutningsmodstandstid på 2 μs giver enheden en robust beskyttelse mod fejlsituationer. Benchmark-gate-tærskelspændingen (VGS(th)) på 4,2 V sikrer optimal switching-ydelse, hvilket gør den til et fremragende valg til krævende effektapplikationer, der kræver høj effektivitet og pålidelighed.
Robust kropsdiode til hård kommutering
.XT-forbindelsesteknologien giver klassens bedste termiske ydeevne
Bedre energieffektivitet
Optimering af køling
Højere effekttæthed
Nye robusthedsfunktioner
Meget pålidelig
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 53 A 1200 V Forbedring PG-TO263-7, IMB
- Infineon N-Kanal 189 A 1200 V Forbedring PG-TO263-7, IMB
- Infineon N-Kanal 107 A 1200 V Forbedring PG-TO263-7, IMB
- Infineon N-Kanal 52 A 1200 V Forbedring PG-TO263-7, IMB
- Infineon N-Kanal 29 A 1200 V Forbedring PG-TO263-7, IMB
- Infineon N-Kanal 21 A 1200 V Forbedring PG-TO263-7, IMB
- Infineon N-Kanal 10.5 A 1200 V Forbedring PG-TO263-7, IMB
- Infineon N-Kanal 8.1 A 1200 V Forbedring PG-TO263-7, IMB