Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 155 A 2000 V Forbedring
- RS-varenummer:
- 349-319
- Producentens varenummer:
- FF5MR20KM1HPHPSA1
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 enhed)*
Kr. 4.193,14
(ekskl. moms)
Kr. 5.241,42
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 24. juli 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 + | Kr. 4.193,14 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 349-319
- Producentens varenummer:
- FF5MR20KM1HPHPSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 155A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 2000V | |
| Monteringstype | Skrueterminal | |
| Drain source modstand maks. Rds | 15.5mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 6.15V | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | 60068, IEC 60747, 60749 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 155A | ||
Drain source spænding maks. Vds 2000V | ||
Monteringstype Skrueterminal | ||
Drain source modstand maks. Rds 15.5mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 6.15V | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser 60068, IEC 60747, 60749 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- HU
Infineons 62 mm CoolSiC MOSFET-halvbromodul 2000 V, 3,5 mΩ G1 i det velkendte 62 mm husdesign med M1H-chipteknologi og præappliceret termisk interface-materiale.
Høj strømtæthed
Lavt skiftetab
Overlegen pålidelighed af gate-oxid
Robust integreret kropsdiode
Høj robusthed over for kosmisk stråling
Switching-modul med høj hastighed
Symmetrisk moduldesign
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 195 A 2000 V Forbedring
- Infineon Type N-Kanal 155 A IPT
- Infineon Type N-Kanal 375 A 2000 V Forbedring F3L6MR
- Infineon Type N-Kanal 89 A 2000 V Forbedring PG-TO-247-4-PLUS-NT14, CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET
- Infineon Type N-Kanal 60 A 2000 V Forbedring PG-TO-247-4-PLUS-NT14, CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET
- Infineon Type N-Kanal 24 Ben EiceDRIVER
- Infineon Type N-Kanal 185 A 1200 V Forbedring
- Infineon Type N-Kanal 280 A 1200 V Forbedring