Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 32.8 A 650 V Forbedring, 4 Ben, PG-TO247-4, IMZA65

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 55,28

(ekskl. moms)

Kr. 69,10

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 240 enhed(er) afsendes fra 13. april 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 - 9Kr. 55,28
10 - 99Kr. 49,74
100 - 499Kr. 45,85
500 - 999Kr. 42,56
1000 +Kr. 38,07

*Vejledende pris

RS-varenummer:
351-873
Producentens varenummer:
IMZA65R060M2HXKSA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

32.8A

Udgangseffekt

130W

Drain source spænding maks. Vds

650V

Emballagetype

PG-TO247-4

Serie

IMZA65

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

4

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

175°C

Højde

5.1mm

Længde

15.9mm

Standarder/godkendelser

JEDEC

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN
Infineon CoolSiC MOSFET 650 V, 60 mΩ G2 i en TO-247-4-pakke bygger på styrkerne i Generation 1-teknologien og muliggør accelereret systemdesign af mere omkostningsoptimerede, effektive, kompakte og pålidelige løsninger. Generation 2 kommer med betydelige forbedringer i nøgletal for både hard-switching-drift og soft-switching-topologier, der passer til alle almindelige kombinationer af AC-DC, DC-DC og DC-AC-trin.

Fremragende tal for fortjeneste (FOM'er)

Klassens bedste RDS(on)

Høj robusthed og generel kvalitet

Fleksibelt spændingsområde

Understøttelse af unipolær kørsel (VGSoff=0)

Bedste immunitet mod tændingseffekter

Forbedret sammenkobling af pakker med .XT

4-pin pakke

Relaterede links