Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 9.2 A 650 V Forbedring, 8 Ben, PG-TSON-8, IGLR65

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 82,67

(ekskl. moms)

Kr. 103,34

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 5.000 enhed(er) afsendes fra 02. marts 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 45Kr. 16,534Kr. 82,67
50 - 95Kr. 15,708Kr. 78,54
100 - 495Kr. 14,542Kr. 72,71
500 - 995Kr. 13,39Kr. 66,95
1000 +Kr. 12,88Kr. 64,40

*Vejledende pris

RS-varenummer:
351-877
Producentens varenummer:
IGLR65R200D2XUMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

9.2A

Drain source spænding maks. Vds

650V

Emballagetype

PG-TSON-8

Serie

IGLR65

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

0.24Ω

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

10 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

1.26nC

Effektafsættelse maks. Pd

34W

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

JEDEC for Industrial Applications

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
MY
Infineons GaN-effekttransistor giver mulighed for øget effektivitet ved højfrekvent drift. Som en del af CoolGaN 650 V G5-familien opfylder den de højeste kvalitetsstandarder og giver mulighed for meget pålidelige designs med overlegen effektivitet. Den er anbragt i en bundkølet ThinPAK-pakke og egner sig godt til forbrugerapplikationer med slanke formfaktorer.

650 V e-mode effekttransistor

Ultrahurtig omskiftning

Intet gebyr for omvendt betalingspligt

I stand til at lede baglæns

Lav gate-opladning, lav output-opladning

Overlegen robusthed i kommutationen

Lav dynamisk RDS(on)

Høj ESD-robusthed: 2 kV HBM - 1 kV CDM

Kølet pakke på undersiden

JEDEC-kvalificeret (JESD47, JESD22)

Relaterede links