Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 9.2 A 650 V Forbedring, 8 Ben, PG-TSON-8, IGLR65
- RS-varenummer:
- 351-877
- Producentens varenummer:
- IGLR65R200D2XUMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 66,27
(ekskl. moms)
Kr. 82,84
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 5.000 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 13,254 | Kr. 66,27 |
| 50 - 95 | Kr. 12,566 | Kr. 62,83 |
| 100 - 495 | Kr. 11,668 | Kr. 58,34 |
| 500 - 995 | Kr. 10,742 | Kr. 53,71 |
| 1000 + | Kr. 10,322 | Kr. 51,61 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 351-877
- Producentens varenummer:
- IGLR65R200D2XUMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 9.2A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Emballagetype | PG-TSON-8 | |
| Serie | IGLR65 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.24Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 1.26nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 34W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | JEDEC for Industrial Applications | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 9.2A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Emballagetype PG-TSON-8 | ||
Serie IGLR65 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.24Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 1.26nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 34W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser JEDEC for Industrial Applications | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
Infineons GaN-effekttransistor giver mulighed for øget effektivitet ved højfrekvent drift. Som en del af CoolGaN 650 V G5-familien opfylder den de højeste kvalitetsstandarder og giver mulighed for meget pålidelige designs med overlegen effektivitet. Den er anbragt i en bundkølet ThinPAK-pakke og egner sig godt til forbrugerapplikationer med slanke formfaktorer.
650 V e-mode effekttransistor
Ultrahurtig omskiftning
Intet gebyr for omvendt betalingspligt
I stand til at lede baglæns
Lav gate-opladning, lav output-opladning
Overlegen robusthed i kommutationen
Lav dynamisk RDS(on)
Høj ESD-robusthed: 2 kV HBM - 1 kV CDM
Kølet pakke på undersiden
JEDEC-kvalificeret (JESD47, JESD22)
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 13 A 650 V Forbedring PG-TSON-8, IGLR65
- Infineon Type N-Kanal 7.2 A 650 V Forbedring PG-TSON-8, IGLR65
- Infineon Type N-Kanal 30 A 650 V Forbedring PG-TSON-8, CoolGaN G5
- Infineon Type N-Kanal 99 A 80 V Forbedring PG-TSON-8, OptiMOS
- Infineon Type N-Kanal 88 A 200 V Forbedring PG-TSON-8, ISC
- Infineon Type N-Kanal 172 A 135 V Forbedring PG-TSON-8, ISC
- Infineon 1 Type N-Kanal 8 Ben OptiMOS 6 Power Transistor
- Infineon Type N-Kanal 142 A 650 V Forbedring PG-HSOF-8, CoolSiC MOSFET 650 V G1