Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 88 A 200 V Forbedring, 8 Ben, PG-TSON-8, ISC
- RS-varenummer:
- 349-148
- Producentens varenummer:
- ISC130N20NM6ATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 95,30
(ekskl. moms)
Kr. 119,12
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 5.000 enhed(er) afsendes fra 02. marts 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 47,65 | Kr. 95,30 |
| 20 - 198 | Kr. 42,90 | Kr. 85,80 |
| 200 + | Kr. 39,57 | Kr. 79,14 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 349-148
- Producentens varenummer:
- ISC130N20NM6ATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 88A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 200V | |
| Emballagetype | PG-TSON-8 | |
| Serie | ISC | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 13mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 242W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 39nC | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | IEC61249-2-21, JEDEC, J-STD-020, RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 88A | ||
Drain source spænding maks. Vds 200V | ||
Emballagetype PG-TSON-8 | ||
Serie ISC | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 13mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 242W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 39nC | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser IEC61249-2-21, JEDEC, J-STD-020, RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
Infineon OptiMOS 6 Power Transistor er en N-kanal MOSFET på normalt niveau, der er designet til højtydende effektapplikationer. Den har meget lav on-modstand (RDS(on)), hvilket hjælper med at minimere ledningstab og forbedre systemets effektivitet. Med et fremragende gate charge x RDS(on)-produkt (FOM) sikrer denne transistor en optimeret skifteydelse. Den har også en meget lav reverse recovery charge (Qrr), hvilket reducerer koblingstab og forbedrer den samlede effektivitet i hurtigkoblende kredsløb. Den er designet til at fungere ved en temperatur på 175 °C og giver høj pålidelighed i krævende miljøer og overlegen termisk ydeevne for robust drift.
Pb-fri blybelægning og RoHS-kompatibel
Halogenfri i henhold til IEC61249-2-21
MSL 1 klassificeret i henhold til J-STD-020
100% lavine testet
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 172 A 135 V Forbedring PG-TSON-8, ISC
- Infineon Type N-Kanal 99 A 80 V Forbedring PG-TSON-8, OptiMOS
- Infineon Type N-Kanal 7.2 A 650 V Forbedring PG-TSON-8, IGLR65
- Infineon Type N-Kanal 9.2 A 650 V Forbedring PG-TSON-8, IGLR65
- Infineon Type N-Kanal 13 A 650 V Forbedring PG-TSON-8, IGLR65
- Infineon Type N-Kanal 164 A 100 V Forbedring PG-TDSON-8, ISC
- Infineon Type N-Kanal 24 A 120 V Forbedring PG-TDSON-8, ISC
- Infineon Type N-Kanal 62 A 120 V Forbedring PG-TDSON-8, ISC