Infineon N-Kanal, MOSFET, 49 A 1.2 kV Forbedring, 4 Ben, PG-TO-247-4-U07, IMZC120
- RS-varenummer:
- 351-927
- Producentens varenummer:
- IMZC120R026M2HXKSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 115,04
(ekskl. moms)
Kr. 143,80
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 219 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 115,04 |
| 10 - 99 | Kr. 103,60 |
| 100 + | Kr. 95,52 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 351-927
- Producentens varenummer:
- IMZC120R026M2HXKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 49A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 1.2kV | |
| Serie | IMZC120 | |
| Emballagetype | PG-TO-247-4-U07 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 69mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 60nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 5.5V | |
| Portkildespænding maks. | 25V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 289W | |
| Driftstemperatur maks. | 200°C | |
| Standarder/godkendelser | JEDEC47/20/22 | |
| Længde | 23.5mm | |
| Bredde | 16mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 49A | ||
Drain source spænding maks. Vds 1.2kV | ||
Serie IMZC120 | ||
Emballagetype PG-TO-247-4-U07 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 69mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 60nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 5.5V | ||
Portkildespænding maks. 25V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 289W | ||
Driftstemperatur maks. 200°C | ||
Standarder/godkendelser JEDEC47/20/22 | ||
Længde 23.5mm | ||
Bredde 16mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon IMZC120 seriens MOSFET, 1200 V drain source-spænding, 49 A kontinuerlig drain-strøm - IMZC120R026M2HXKSA1
Denne MOSFET er en højspændings N-kanals koblingsenhed, der er designet til krævende strømkonverteringsroller i industriel elektronik. Den fungerer på tværs af et udvidet termisk område, der er velegnet til barske miljøer, og er pakket til montering gennem hul, hvilket giver en robust mulighed, hvor høj blokeringsspænding og betydelig kontinuerlig strømkapacitet er påkrævet.
Egenskaber og fordele:
• 1200 V drain-source mærkeværdi til højspændingskontaktkapacitet
• 49 A kontinuerlig afløbsstrøm, der muliggør betydelig belastningshåndtering
• 69 mΩ Rds(on) for reducerede ledningstab ved driftsstrømme
• 289 W maks. effekttab for høj termisk belastningstolerance
• 60 nC typisk gate-ladning til forudsigelig omskiftningskontrol
• 25 V gate-source-grænse, der understøtter almindelige gate-drivspændinger
• 49 A kontinuerlig afløbsstrøm, der muliggør betydelig belastningshåndtering
• 69 mΩ Rds(on) for reducerede ledningstab ved driftsstrømme
• 289 W maks. effekttab for høj termisk belastningstolerance
• 60 nC typisk gate-ladning til forudsigelig omskiftningskontrol
• 25 V gate-source-grænse, der understøtter almindelige gate-drivspændinger
Anvendelser
• Velegnet til industrielle inverter- og motordrevkonstruktioner
• Ideel til højspændingsstrømforsyninger og konvertere
• Anvendes til trækkraft og kraftelektronik med vedvarende energi
• Kan bruges til hard-switching- og choppertopologier
• Anvendes sammen med køleelementarrangementer med gennemgående hul til termisk styring
• Ideel til højspændingsstrømforsyninger og konvertere
• Anvendes til trækkraft og kraftelektronik med vedvarende energi
• Kan bruges til hard-switching- og choppertopologier
• Anvendes sammen med køleelementarrangementer med gennemgående hul til termisk styring
Hvilken hustype bruger den, og hvordan påvirker det monteringen?
Den leveres i et TO-247-4-format med gennemgående hul, der letter sikker boltet fastgørelse af kølelegeme og nem printmontering for robuste mekaniske og termiske forbindelser.
Hvordan påvirker det termiske område placeringen i systemer?
Med et driftsområde fra -55 °C til 200 °C kan den placeres tæt på varmegenererende komponenter eller bruges i miljøer med store omgivende temperatursvingninger uden øjeblikkelig reduktion på systemniveau.
Hvilke overvejelser om gate-driver er nødvendige for switching-ydeevne?
Drevkredsløb skal overholde 25 V gate-source-grænse og give tilstrækkelig drevstyrke til at håndtere 60 nC gate-ladning for kontrollerede overgangstider og skiftetab.
Hvordan skal designere tage hensyn til effekttab i termisk design?
Termisk styring skal tage hensyn til 289 W dissipationsloftet
passende kølelegemer, termiske interfacematerialer og kortlayout er påkrævet for at opretholde forbindelsestemperaturer inden for sikre driftsgrænser.
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 55 A 1200 V Forbedring PG-TO-247-4-U07, IMZC120
- Infineon N-Kanal 80 A 1200 V Forbedring PG-TO-247-4-U07, IMZC120
- Infineon N-Kanal 69 A 1200 V Forbedring PG-TO-247-4-U07, IMZC120
- Infineon N-Kanal 91 A 1200 V Forbedring PG-TO-247-4-U07, IMZC120
- Infineon N-Kanal 20 A 1200 V Forbedring PG-TO-247-4-U07, IMZC120
- Infineon N-Kanal 34 A 1200 V Forbedring PG-TO-247-4-U07, IMZC120
- Infineon N-Kanal 27 A 1200 V Forbedring PG-TO-247-4-U07, IMZC120
- Infineon N-Kanal 70 A 1200 V Forbedring PG-TO-247-4-U02, CoolSiC