Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 27 A 1200 V Forbedring, 4 Ben, PG-TO-247-4-U07, IMZC120 Nej IMZC120R053M2HXKSA1

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 65,23

(ekskl. moms)

Kr. 81,54

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 237 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 - 9Kr. 65,23
10 - 99Kr. 58,79
100 - 499Kr. 54,23
500 - 999Kr. 50,27
1000 +Kr. 45,03

*Vejledende pris

RS-varenummer:
351-931
Producentens varenummer:
IMZC120R053M2HXKSA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

27A

Drain source spænding maks. Vds

1200V

Emballagetype

PG-TO-247-4-U07

Serie

IMZC120

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

4

Drain source modstand maks. Rds

53mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

5.5V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

30nC

Portkildespænding maks.

-10 to 25 V

Effektafsættelse maks. Pd

182W

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

200°C

Bredde

16 mm

Længde

23.5mm

Standarder/godkendelser

JEDEC47/20/22

Bilindustristandarder

Nej

Infineon CoolSiC MOSFET discrete med høj krybekapacitet bygger på styrkerne i Generation 1-teknologien med betydelige forbedringer, der giver en avanceret løsning til mere omkostningsoptimerede, effektive, kompakte, nemme at designe og pålidelige systemer. Den forbedrede ydeevnen i både hard-switching-drift og soft-switching-topologier for alle almindelige kombinationer af AC-DC, DC-DC og DC-AC-trin.

Bedre energieffektivitet

Optimering af køling

Højere effekttæthed

Nye robusthedsfunktioner

Meget pålidelig

Nem parallellægning

Relaterede links