Infineon N-Kanal, MOSFET, 34 A 1.2 kV Forbedring, 4 Ben, PG-TO-247-4-U07, IMZC120
- RS-varenummer:
- 351-930
- Producentens varenummer:
- IMZC120R040M2HXKSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 80,48
(ekskl. moms)
Kr. 100,60
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 165 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 80,48 |
| 10 - 99 | Kr. 72,41 |
| 100 + | Kr. 66,87 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 351-930
- Producentens varenummer:
- IMZC120R040M2HXKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 34A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 1.2kV | |
| Serie | IMZC120 | |
| Emballagetype | PG-TO-247-4-U07 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 40mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 218W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 39nC | |
| Portkildespænding maks. | 25V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | JEDEC47/20/22 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 34A | ||
Drain source spænding maks. Vds 1.2kV | ||
Serie IMZC120 | ||
Emballagetype PG-TO-247-4-U07 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 40mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 218W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 39nC | ||
Portkildespænding maks. 25V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser JEDEC47/20/22 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon IMZC120 seriens MOSFET, 218 W maksimal effekttab, 1200 V maksimal drain source-spænding - IMZC120R040M2HXKSA1
Denne n-kanal-forbedringstilstand MOSFET er en højspændingstransistor, der er designet til krævende strømkonverteringsmiljøer. Den er beregnet til montering gennem hul i udstyr, der kræver robust drain-to-source-blokeringsevne og betydelig kontinuerlig strømhåndtering, der fungerer over et bredt termisk område, der er velegnet til barske forhold.
Egenskaber og fordele:
• 1200 V drain-source mærkeværdi muliggør højspændingsdesign
• 34 A kontinuerlig drænstrøm understøtter drift med kraftig belastning
• 40 mΩ lav Rds(on) reducerer ledningstab
• 218 W effekttab til kobling med høj effekt
• 39 nC typisk gate-ladning muliggør kontrolleret koblingsenergi
• PG-TO-247-4-pakke med gennemgående hul forenkler montering af prototyper
• 34 A kontinuerlig drænstrøm understøtter drift med kraftig belastning
• 40 mΩ lav Rds(on) reducerer ledningstab
• 218 W effekttab til kobling med høj effekt
• 39 nC typisk gate-ladning muliggør kontrolleret koblingsenergi
• PG-TO-247-4-pakke med gennemgående hul forenkler montering af prototyper
Anvendelser
• Velegnet til højspændingsstrømforsyninger og konvertere
• Anvendes sammen med motordrev, der kræver stor strømkapacitet
• Ideel til industrielle inverter- og switch-mode-opgaver
• Kan bruges til batteriladningssystemer i tungt udstyr
• Anvendes til test og udvikling af laboratorieeffektelektronik
• Anvendes sammen med motordrev, der kræver stor strømkapacitet
• Ideel til industrielle inverter- og switch-mode-opgaver
• Kan bruges til batteriladningssystemer i tungt udstyr
• Anvendes til test og udvikling af laboratorieeffektelektronik
Hvilke ekstreme omgivelser kan denne enhed tåle under drift?
Den er specificeret til drift fra -55 °C op til 175 °C, hvilket giver mulighed for brug i miljøer med kraftige temperaturvariationer.
Hvilken pakke og monteringstype kræves der på et printkort?
Enheden leveres i en PG-TO-247-4-pakke med gennemgående hul, der er beregnet til boltet eller loddet montering med passende kølelegeme.
Hvordan påvirker kravet til gate-drev switching-design?
Med en typisk portladning på 39 nC ved nominel Vgs bør designere dimensionere portdrivere og portmodstande for at balancere skiftehastighed og EMI under hensyntagen til drivstrøm.
Hvilke elektriske grænser skal overholdes for at forhindre skader på enheden?
Maks. gate-source-spænding er 25 V, og drain-source-spænding er 1200 V
disse absolutte værdier må ikke overskrides under drift.
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 55 A 1200 V Forbedring PG-TO-247-4-U07, IMZC120
- Infineon N-Kanal 49 A 1200 V Forbedring PG-TO-247-4-U07, IMZC120
- Infineon N-Kanal 80 A 1200 V Forbedring PG-TO-247-4-U07, IMZC120
- Infineon N-Kanal 69 A 1200 V Forbedring PG-TO-247-4-U07, IMZC120
- Infineon N-Kanal 91 A 1200 V Forbedring PG-TO-247-4-U07, IMZC120
- Infineon N-Kanal 20 A 1200 V Forbedring PG-TO-247-4-U07, IMZC120
- Infineon N-Kanal 27 A 1200 V Forbedring PG-TO-247-4-U07, IMZC120
- Infineon N-Kanal 70 A 1200 V Forbedring PG-TO-247-4-U02, CoolSiC