Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 20 A 1200 V Forbedring, 4 Ben, PG-TO-247-4-U07, IMZC120

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 61,93

(ekskl. moms)

Kr. 77,41

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 240 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 - 9Kr. 61,93
10 - 99Kr. 55,73
100 - 499Kr. 51,46
500 - 999Kr. 47,65
1000 +Kr. 42,71

*Vejledende pris

RS-varenummer:
351-933
Producentens varenummer:
IMZC120R078M2HXKSA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

20A

Drain source spænding maks. Vds

1200V

Emballagetype

PG-TO-247-4-U07

Serie

IMZC120

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

4

Drain source modstand maks. Rds

204mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

5.5V

Effektafsættelse maks. Pd

143W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

21nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

200°C

Standarder/godkendelser

JEDEC47/20/22

Længde

23.5mm

Bilindustristandarder

Nej

Infineon CoolSiC MOSFET discrete med høj krybekapacitet bygger på styrkerne i Generation 1-teknologien med betydelige forbedringer, der giver en avanceret løsning til mere omkostningsoptimerede, effektive, kompakte, nemme at designe og pålidelige systemer. Den forbedrede ydeevnen i både hard-switching-drift og soft-switching-topologier for alle almindelige kombinationer af AC-DC, DC-DC og DC-AC-trin.

Bedre energieffektivitet

Optimering af køling

Højere effekttæthed

Nye robusthedsfunktioner

Meget pålidelig

Nem parallellægning

Relaterede links