Starpower Enkelt kontakt-Kanal, SiC Mosfet uden diode, 64 A 1200 V N, 4 Ben, Tape og rulle, DOSEMI Nej DM400S12TDRB

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 84,67

(ekskl. moms)

Kr. 105,84

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 30 enhed(er) afsendes fra 29. december 2025
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 - 9Kr. 84,67
10 - 99Kr. 76,22
100 - 499Kr. 70,24
500 - 999Kr. 65,15
1000 +Kr. 53,03

*Vejledende pris

RS-varenummer:
427-757
Producentens varenummer:
DM400S12TDRB
Brand:
Starpower
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Starpower

Produkttype

SiC Mosfet uden diode

Kanaltype

Enkelt kontakt

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

64A

Drain source spænding maks. Vds

1200V

Serie

DOSEMI

Emballagetype

Tape og rulle

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

4

Drain source modstand maks. Rds

55.2mΩ

Kanalform

N

Effektafsættelse maks. Pd

268W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

86.6nC

Gennemgangsspænding Vf

3.85V

Min. driftstemperatur

-40°C

Portkildespænding maks.

22 V

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN
Starpower MOSFET Power Discrete giver meget lavt ledningstab samt lavt skiftetab. De er designet til anvendelser som hybrid- og elbiler.

SiC effekt MOSFET

Lav RDS(on)

Huset med lav induktion forhindrer oscillationer

Række

Relaterede links