Starpower Enkelt kontakt-Kanal, SiC Mosfet uden diode, 37 A 1200 V N, 4 Ben, Tape og rulle, DOSEMI Nej DM800S12TDRB

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 53,62

(ekskl. moms)

Kr. 67,02

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Begrænset lager
  • Plus 10 enhed(er) afsendes fra 29. december 2025
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 - 9Kr. 53,62
10 - 99Kr. 48,25
100 - 499Kr. 44,43
500 - 999Kr. 41,29
1000 +Kr. 33,59

*Vejledende pris

RS-varenummer:
427-759
Producentens varenummer:
DM800S12TDRB
Brand:
Starpower
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Starpower

Produkttype

SiC Mosfet uden diode

Kanaltype

Enkelt kontakt

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

37A

Drain source spænding maks. Vds

1200V

Serie

DOSEMI

Emballagetype

Tape og rulle

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

4

Drain source modstand maks. Rds

105mΩ

Kanalform

N

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

4.1V

Portkildespænding maks.

22 V

Effektafsættelse maks. Pd

162W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

36nC

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN
Starpower MOSFET Power Discrete giver ultralavt ledningstab samt lavt skiftetab. De er designet til anvendelser som hybrid- og elbiler.

SiC effekt MOSFET

Lav RDS(on)

Huset med lav induktion forhindrer oscillationer

Række

Relaterede links