Starpower Enkelt kontakt-Kanal, SiC Mosfet uden diode, 118 A 1200 V N, 4 Ben, Tape og rulle, DOSEMI

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 enhed)*

Kr. 152,16

(ekskl. moms)

Kr. 190,20

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 13 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
1 - 9Kr. 152,16
10 - 99Kr. 136,88
100 +Kr. 126,26

*Vejledende pris

RS-varenummer:
427-760
Producentens varenummer:
DM170S12TDRB
Brand:
Starpower
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Starpower

Produkttype

SiC Mosfet uden diode

Kanaltype

Enkelt kontakt

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

118A

Drain source spænding maks. Vds

1200V

Serie

DOSEMI

Emballagetype

Tape og rulle

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

4

Drain source modstand maks. Rds

29.0mΩ

Kanalform

N

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

3.6V

Effektafsættelse maks. Pd

355W

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

RoHS Compliant

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN
Starpower MOSFET Power Discrete giver meget lavt ledningstab samt lavt skiftetab. De er designet til anvendelser som hybrid- og elbiler.

SiC effekt MOSFET

Lav RDS(on)

Chip-sinteringsteknologi

Huset med lav induktion forhindrer oscillationer

Række

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.