onsemi Type P-Kanal, MOSFET, 12 A 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, NTD2955 AEC-Q101 NTD2955T4G
- RS-varenummer:
- 463-038
- Producentens varenummer:
- NTD2955T4G
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 63,73
(ekskl. moms)
Kr. 79,66
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 20 enhed(er) afsendes fra 05. januar 2026
- Plus 160 enhed(er) afsendes fra 05. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | Kr. 6,373 | Kr. 63,73 |
| 100 - 240 | Kr. 5,49 | Kr. 54,90 |
| 250 - 490 | Kr. 4,765 | Kr. 47,65 |
| 500 - 990 | Kr. 4,181 | Kr. 41,81 |
| 1000 + | Kr. 3,807 | Kr. 38,07 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 463-038
- Producentens varenummer:
- NTD2955T4G
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 12A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Serie | NTD2955 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 180mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 15nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.25V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 55W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Bredde | 6.22 mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 6.73mm | |
| Højde | 2.38mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 12A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Serie NTD2955 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 180mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 15nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.25V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 55W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Bredde 6.22 mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 6.73mm | ||
Højde 2.38mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
P-kanal Power MOSFET, 30 V til 500 V, ON Semiconductor
MOSFET-transistorer, ON Semiconductor
Relaterede links
- onsemi P-Kanal 12 A 60 V DPAK (TO-252) NTD2955T4G
- onsemi P-Kanal 15.5 A 60 V DPAK (TO-252) NTD20P06LT4G
- onsemi P-Kanal 12 A 60 V DPAK (TO-252) FQD17P06TM
- onsemi P-Kanal 9 3 ben, DPAK (TO-252) FQD11P06TM
- onsemi P-Kanal 15 3 ben, DPAK (TO-252) NTD20P06LT4G
- onsemi P-Kanal 5.4 A 60 V DPAK (TO-252) FQD7P06TM
- onsemi P-Kanal 15 A 60 V DPAK (TO-252), PowerTrench FDD5614P
- onsemi N-Kanal 155 A 60 V, DPAK (TO-252) NTD5C632NLT4G
