Toshiba Type P-Kanal, MOSFET, 8 A 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-252 AEC-Q101 TJ8S06M3L

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 72,56

(ekskl. moms)

Kr. 90,70

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Begrænset lager
  • Plus 140 enhed(er) afsendes fra 05. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 - 40Kr. 7,256Kr. 72,56
50 - 90Kr. 6,582Kr. 65,82
100 - 990Kr. 5,064Kr. 50,64
1000 +Kr. 3,127Kr. 31,27

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
171-2492
Producentens varenummer:
TJ8S06M3L
Brand:
Toshiba
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Toshiba

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type P

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

8A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Emballagetype

TO-252

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

130mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Effektafsættelse maks. Pd

27W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

19nC

Portkildespænding maks.

10 V

Driftstemperatur maks.

175°C

Bredde

7 mm

Længde

6.5mm

Højde

2.3mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

AEC-Q101

RoHS Status: Ikke relevant

COO (Country of Origin):
JP
Anvendelsesområder

Til brug i biler

Motordrivere

DC/DC-konvertere

Skiftespændingsregulatorer

Funktioner

Lav drain-source on-resistance: RDS(ON) = 80 mΩ (typ.) (VGS = -10 V)

Lav lækstrøm: IDSS = -10 μA (maks.) (VDS = -60 V)

Optimeret tilstand: Vth = -2,0 til -3,0 V (VDS = -10 V, ID = -1 mA)

Relaterede links