Toshiba Type P-Kanal, MOSFET, 8 A 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-252 AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 171-2492
- Producentens varenummer:
- TJ8S06M3L
- Brand:
- Toshiba
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
- RS-varenummer:
- 171-2492
- Producentens varenummer:
- TJ8S06M3L
- Brand:
- Toshiba
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Toshiba | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 8A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 130mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 19nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 27W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 6.5mm | |
| Højde | 2.3mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Toshiba | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 8A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 130mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 19nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 27W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 6.5mm | ||
Højde 2.3mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
RoHS Status: Ikke relevant
- COO (Country of Origin):
- JP
Anvendelsesområder
Til brug i biler
Motordrivere
DC/DC-konvertere
Skiftespændingsregulatorer
Funktioner
Lav drain-source on-resistance: RDS(ON) = 80 mΩ (typ.) (VGS = -10 V)
Lav lækstrøm: IDSS = -10 μA (maks.) (VDS = -60 V)
Optimeret tilstand: Vth = -2,0 til -3,0 V (VDS = -10 V, ID = -1 mA)
Relaterede links
- Toshiba Type P-Kanal 60 A 40 V Forbedring TO-252 AEC-Q101
- Toshiba Type N-Kanal 60 A 60 V Forbedring TO-252 AEC-Q101
- Toshiba Type N-Kanal 8 A 60 V Forbedring TO-252 AEC-Q101
- Toshiba Type P-Kanal 15 A 40 V Forbedring TO-252
- Infineon Type P-Kanal 8.8 A 60 V Forbedring TO-252, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 9.7 A 60 V Forbedring TO-252, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 30 A 60 V Forbedring TO-252, SIPMOS AEC-Q101
- onsemi Type P-Kanal 12 A 60 V Forbedring TO-252, NTD2955 AEC-Q101