Toshiba Type N-Kanal, MOSFET, 60 A 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-252 AEC-Q101

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 rulle af 2000 enheder)*

Kr. 13.624,00

(ekskl. moms)

Kr. 17.030,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 2.000 enhed(er) afsendes fra 02. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
2000 - 2000Kr. 6,812Kr. 13.624,00
4000 - 8000Kr. 6,287Kr. 12.574,00
10000 +Kr. 5,838Kr. 11.676,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
171-2426
Producentens varenummer:
TK60S06K3L
Brand:
Toshiba
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Toshiba

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

60A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Emballagetype

TO-252

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

12.3mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

-1.2V

Effektafsættelse maks. Pd

88W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

60nC

Portkildespænding maks.

20 V

Driftstemperatur maks.

175°C

Højde

2.3mm

Standarder/godkendelser

No

Bredde

7 mm

Længde

6.5mm

Bilindustristandarder

AEC-Q101

RoHS Status: Undtaget

COO (Country of Origin):
JP
Til brug i biler

Motordrivere

DC/DC-konvertere

Skiftespændingsregulatorer

Lav drain-source on-resistance: RDS(ON) = 6,4 mΩ (typ.) (VGS = 10 V)

Lav lækstrøm: IDSS = 10 μA (maks.) (VDS = 60 V)

Optimeret tilstand: Vth = 2,0 til 3,0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)

Relaterede links