Toshiba Type N-Kanal, MOSFET, 60 A 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-252 AEC-Q101

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 rulle af 2000 enheder)*

Kr. 13.624,00

(ekskl. moms)

Kr. 17.030,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 2.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
2000 - 2000Kr. 6,812Kr. 13.624,00
4000 - 8000Kr. 6,287Kr. 12.574,00
10000 +Kr. 5,838Kr. 11.676,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
171-2426
Producentens varenummer:
TK60S06K3L
Brand:
Toshiba
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Toshiba

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

60A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Emballagetype

TO-252

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

12.3mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

88W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

60nC

Gennemgangsspænding Vf

-1.2V

Driftstemperatur maks.

175°C

Højde

2.3mm

Standarder/godkendelser

No

Længde

6.5mm

Bilindustristandarder

AEC-Q101

RoHS Status: Undtaget

COO (Country of Origin):
JP
Til brug i biler

Motordrivere

DC/DC-konvertere

Skiftespændingsregulatorer

Lav drain-source on-resistance: RDS(ON) = 6,4 mΩ (typ.) (VGS = 10 V)

Lav lækstrøm: IDSS = 10 μA (maks.) (VDS = 60 V)

Optimeret tilstand: Vth = 2,0 til 3,0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)

Relaterede links