Toshiba Type N-Kanal, MOSFET, 60 A 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-252 AEC-Q101 TK60S06K3L

Se alle MOSFET

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 43,33

(ekskl. moms)

Kr. 54,16

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 15 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
  • Plus 3.735 enhed(er) afsendes fra 08. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 +Kr. 8,666Kr. 43,33

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
171-2481
Producentens varenummer:
TK60S06K3L
Brand:
Toshiba
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Toshiba

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

60A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Emballagetype

TO-252

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

12.3mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20 V

Gennemgangsspænding Vf

-1.2V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

60nC

Effektafsættelse maks. Pd

88W

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

No

Højde

2.3mm

Længde

6.5mm

Bredde

7 mm

Bilindustristandarder

AEC-Q101

RoHS Status: Undtaget

COO (Country of Origin):
JP
Til brug i biler

Motordrivere

DC/DC-konvertere

Skiftespændingsregulatorer

Lav drain-source on-resistance: RDS(ON) = 6,4 mΩ (typ.) (VGS = 10 V)

Lav lækstrøm: IDSS = 10 μA (maks.) (VDS = 60 V)

Optimeret tilstand: Vth = 2,0 til 3,0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)

Relaterede links