Toshiba Type N-Kanal, MOSFET, 8 A 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-252 AEC-Q101

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 rulle af 2000 enheder)*

Kr. 8.502,00

(ekskl. moms)

Kr. 10.628,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 02. oktober 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
2000 - 2000Kr. 4,251Kr. 8.502,00
4000 - 8000Kr. 3,923Kr. 7.846,00
10000 +Kr. 3,643Kr. 7.286,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
171-2429
Producentens varenummer:
TK8S06K3L
Brand:
Toshiba
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Toshiba

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

8A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Emballagetype

TO-252

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

80mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

10nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

25W

Portkildespænding maks.

20 V

Gennemgangsspænding Vf

-1.2V

Driftstemperatur maks.

175°C

Højde

2.3mm

Længde

6.5mm

Bredde

7 mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

AEC-Q101

RoHS Status: Undtaget

COO (Country of Origin):
JP
Til brug i biler

Motordrivere

DC/DC-konvertere

Skiftespændingsregulatorer

Lav drain-source on-resistance: RDS(ON) = 43 mΩ (typ.) (VGS = 10 V)

Lav lækstrøm: IDSS = 10 μA (maks.) (VDS = 60 V)

Optimeret tilstand: Vth = 2,0 til 3,0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)

Relaterede links