Toshiba N-Kanal, MOSFET, 8 A 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-252 AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 171-2429
- Producentens varenummer:
- TK8S06K3L
- Brand:
- Toshiba
Kan ikke leveres i øjeblikket
Beklager, men vi ved ikke, hvornår dette er på lager igen.
- RS-varenummer:
- 171-2429
- Producentens varenummer:
- TK8S06K3L
- Brand:
- Toshiba
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Toshiba | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 8A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 80mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 25W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 10nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 6.5mm | |
| Bredde | 7mm | |
| Højde | 2.3mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Toshiba | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 8A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 80mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 25W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 10nC | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 6.5mm | ||
Bredde 7mm | ||
Højde 2.3mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
RoHS Status: Ikke relevant
- COO (Country of Origin):
- JP
Til brug i biler
Motordrivere
DC/DC-konvertere
Skiftespændingsregulatorer
Lav drain-source on-resistance: RDS(ON) = 43 mΩ (typ.) (VGS = 10 V)
Lav lækstrøm: IDSS = 10 μA (maks.) (VDS = 60 V)
Optimeret tilstand: Vth = 2,0 til 3,0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)