Toshiba Type N-Kanal, MOSFET, 65 A 40 V Forbedring, 3 Ben, TO-252 AEC-Q101

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 2000 enheder)*

Kr. 12.040,00

(ekskl. moms)

Kr. 15.040,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 2.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
2000 +Kr. 6,02Kr. 12.040,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
171-2428
Producentens varenummer:
TK65S04N1L
Brand:
Toshiba
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Toshiba

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

65A

Drain source spænding maks. Vds

40V

Emballagetype

TO-252

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

4.3mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20 V

Gennemgangsspænding Vf

-1.2V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

39nC

Effektafsættelse maks. Pd

107W

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

No

Højde

2.3mm

Bredde

7 mm

Længde

6.5mm

Bilindustristandarder

AEC-Q101

RoHS Status: Undtaget

COO (Country of Origin):
JP
Anvendelsesområder

Til brug i biler

Motordrivere

Skiftespændingsregulatorer

Funktioner

Lav drain-source on-resistance: RDS(ON) = 3,3 Ω (typ)

Lav lækstrøm: IDSS = 10 μA (maks.) (VDS = 40 V)

Optimeret tilstand: Vth = 1,5 til 2,5 V (VDS = 10 V, ID = 0,3 mA)

Relaterede links