Toshiba Type N-Kanal, MOSFET, 10 μA 250 V Forbedring, 3 Ben, TO-252 Nej TK8P25DA,RQ(S

Se alle MOSFET
Midlertidigt ikke på lager
RS-varenummer:
174-4116
Producentens varenummer:
TK8P25DA,RQ(S
Brand:
Toshiba
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Toshiba

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

10μA

Drain source spænding maks. Vds

250V

Emballagetype

TO-252

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

500mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

16nC

Gennemgangsspænding Vf

-1.7V

Effektafsættelse maks. Pd

55W

Portkildespænding maks.

20 V

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

6.6mm

Bredde

6.1 mm

Højde

2.3mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN
Toshiba MOSFET er silikone N-kanal MOS med 3-benet og overflademonteret type.

Lav drain-source on-resistance

Lille lækstrøm

Relaterede links