MPN

Toshiba Type N-Kanal, MOSFET, 13.7 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, DTMOSIV Nej TK14G65W,RQ(S

RS-varenummer:: 133-2797
Producentens varenummer:: TK14G65W,RQ(S
Brand:: Toshiba

Toshiba Type N-Kanal, MOSFET, 13.7 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, DTMOSIV Nej TK14G65W,RQ(S

Midlertidigt ikke på lager

RS-varenummer:: 133-2797
Producentens varenummer:: TK14G65W,RQ(S
Brand:: Toshiba

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Toshiba
	Kanaltype	Type N
	Produkttype	MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	13.7A
	Drain source spænding maks. Vds	650V
	Serie	DTMOSIV
	Emballagetype	TO-263
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	3
	Drain source modstand maks. Rds	250mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Gennemgangsspænding Vf	-1.7V
	Portkildespænding maks.	30 V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	35nC
	Effektafsættelse maks. Pd	130W
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Standarder/godkendelser	No
	Bredde	8.8 mm
	Længde	10.35mm
	Højde	4.46mm
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Toshiba
	Kanaltype Type N
	Produkttype MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 13.7A
	Drain source spænding maks. Vds 650V
	Serie DTMOSIV
	Emballagetype TO-263
	Monteringstype Overflade
	Benantal 3
	Drain source modstand maks. Rds 250mΩ
	Kanalform Forbedring
	Gennemgangsspænding Vf -1.7V
	Portkildespænding maks. 30 V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 35nC
	Effektafsættelse maks. Pd 130W
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Standarder/godkendelser No
	Bredde 8.8 mm
	Længde 10.35mm
	Højde 4.46mm
	Bilindustristandarder Nej

COO (Country of Origin):: JP

Toshiba Type N-Kanal, MOSFET, 13.7 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, DTMOSIV Nej TK14G65W,RQ(S

MOSFET-transistorer, Toshiba

Relaterede links