Toshiba Type N-Kanal, MOSFET, 11.1 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, DTMOSIV Nej TK11P65W,RQ(S

Se alle MOSFET
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
RS-varenummer:
133-2796
Producentens varenummer:
TK11P65W,RQ(S
Brand:
Toshiba
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Toshiba

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

11.1A

Drain source spænding maks. Vds

650V

Emballagetype

TO-252

Serie

DTMOSIV

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

440mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

25nC

Effektafsættelse maks. Pd

100W

Portkildespænding maks.

30 V

Gennemgangsspænding Vf

1.7V

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

6.6mm

Standarder/godkendelser

No

Bredde

6.1 mm

Højde

2.3mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
JP

MOSFET-transistorer, Toshiba


Relaterede links