Toshiba Type N-Kanal, MOSFET, 11.1 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, DTMOSIV Nej TK11P65W,RQ(S
- RS-varenummer:
- 133-2796
- Producentens varenummer:
- TK11P65W,RQ(S
- Brand:
- Toshiba
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 51,16
(ekskl. moms)
Kr. 63,95
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | Kr. 10,232 | Kr. 51,16 |
| 25 - 45 | Kr. 9,23 | Kr. 46,15 |
| 50 - 245 | Kr. 8,872 | Kr. 44,36 |
| 250 - 495 | Kr. 8,468 | Kr. 42,34 |
| 500 + | Kr. 8,272 | Kr. 41,36 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 133-2796
- Producentens varenummer:
- TK11P65W,RQ(S
- Brand:
- Toshiba
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Toshiba | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 11.1A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Serie | DTMOSIV | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 440mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 30 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 100W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.7V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 25nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 2.3mm | |
| Længde | 6.6mm | |
| Bredde | 6.1 mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Toshiba | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 11.1A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Serie DTMOSIV | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 440mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 30 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 100W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.7V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 25nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 2.3mm | ||
Længde 6.6mm | ||
Bredde 6.1 mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- JP
MOSFET-transistorer, Toshiba
Relaterede links
- Toshiba Type N-Kanal 6.8 A 650 V Forbedring TO-252RQ(S
- Toshiba Type N-Kanal 5.8 A 650 V Forbedring TO-252RQ(S
- Toshiba Type N-Kanal 13.7 A 650 V Forbedring TO-263RQ(S
- Toshiba Type N-Kanal 11.5 A 600 V Forbedring TO-252, DTMOSIV Nej
- Toshiba Type N-Kanal 8 A 600 V Forbedring TO-252RVQ(S
- Toshiba Type N-Kanal 11.5 A 600 V Forbedring TO-252RVQ(S
- Toshiba Type N-Kanal 10 μA 250 V Forbedring TO-252 Nej TK8P25DA,RQ(S
- Toshiba Type N-Kanal 11.1 A 650 V Forbedring TO-220S5X(M