Toshiba Type N-Kanal, MOSFET, 5.8 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, DTMOSIV

Midlertidigt ikke på lager
RS-varenummer:
133-2800
Producentens varenummer:
TK6P65W,RQ(S
Brand:
Toshiba
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Toshiba

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

5.8A

Drain source spænding maks. Vds

650V

Emballagetype

TO-252

Serie

DTMOSIV

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

1.05Ω

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

11nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

±30 V

Effektafsættelse maks. Pd

60W

Gennemgangsspænding Vf

1.7V

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

2.3mm

Standarder/godkendelser

No

Bredde

6.1 mm

Længde

6.6mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
JP

MOSFET N-kanal, TK6- og TK7-serien, Toshiba


MOSFET-transistorer, Toshiba


Relaterede links