Toshiba Type N-Kanal, MOSFET, 5.8 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, DTMOSIV Nej TK6P65W,RQ(S
- RS-varenummer:
- 133-2800
- Producentens varenummer:
- TK6P65W,RQ(S
- Brand:
- Toshiba
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 47,35
(ekskl. moms)
Kr. 59,19
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | Kr. 4,735 | Kr. 47,35 |
| 50 - 90 | Kr. 4,249 | Kr. 42,49 |
| 100 - 490 | Kr. 4,121 | Kr. 41,21 |
| 500 - 990 | Kr. 3,949 | Kr. 39,49 |
| 1000 + | Kr. 3,852 | Kr. 38,52 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 133-2800
- Producentens varenummer:
- TK6P65W,RQ(S
- Brand:
- Toshiba
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Toshiba | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 5.8A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Serie | DTMOSIV | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.05Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 11nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.7V | |
| Portkildespænding maks. | ±30 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 60W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 6.6mm | |
| Højde | 2.3mm | |
| Bredde | 6.1 mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Toshiba | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 5.8A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Serie DTMOSIV | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.05Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 11nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.7V | ||
Portkildespænding maks. ±30 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 60W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 6.6mm | ||
Højde 2.3mm | ||
Bredde 6.1 mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- JP
MOSFET N-kanal, TK6- og TK7-serien, Toshiba
MOSFET-transistorer, Toshiba
Relaterede links
- Toshiba Type N-Kanal 6.8 A 650 V Forbedring TO-252RQ(S
- Toshiba Type N-Kanal 11.1 A 650 V Forbedring TO-252RQ(S
- Toshiba Type N-Kanal 13.7 A 650 V Forbedring TO-263RQ(S
- Toshiba Type N-Kanal 11.5 A 600 V Forbedring TO-252, DTMOSIV Nej
- Toshiba Type N-Kanal 8 A 600 V Forbedring TO-252RVQ(S
- Toshiba Type N-Kanal 11.5 A 600 V Forbedring TO-252RVQ(S
- Toshiba Type N-Kanal 10 μA 250 V Forbedring TO-252 Nej TK8P25DA,RQ(S
- Toshiba N-Kanal 13 3 ben DTMOSIV TK14N65W5,S1F(S
