Toshiba N-Kanal, MOSFET, 6.8 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, DTMOSIV
- RS-varenummer:
- 133-2801
- Producentens varenummer:
- TK7P65W,RQ(S
- Brand:
- Toshiba
Kan ikke leveres i øjeblikket
Beklager, men vi ved ikke, hvornår dette er på lager igen.
- RS-varenummer:
- 133-2801
- Producentens varenummer:
- TK7P65W,RQ(S
- Brand:
- Toshiba
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Toshiba | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 6.8A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Serie | DTMOSIV | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 800mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 15nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.7V | |
| Portkildespænding maks. | -30V, +30V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 60W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 6.1mm | |
| Højde | 2.3mm | |
| Længde | 6.6mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Toshiba | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 6.8A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Serie DTMOSIV | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 800mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 15nC | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.7V | ||
Portkildespænding maks. -30V, +30V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 60W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 6.1mm | ||
Højde 2.3mm | ||
Længde 6.6mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- JP
MOSFET N-kanal, TK6- og TK7-serien, Toshiba
MOSFET-transistorer, Toshiba
Relaterede links
- Toshiba N-Kanal 11.1 A 650 V Forbedring TO-252, DTMOSIV
- Toshiba N-Kanal 5.8 A 650 V Forbedring TO-252, DTMOSIV
- Toshiba N-Kanal 13.7 A 650 V Forbedring TO-263, DTMOSIV
- Toshiba N-Kanal 8 A 600 V Forbedring TO-252, DTMOSIV
- Toshiba N-Kanal 11.5 A 600 V Forbedring TO-252, DTMOSIV
- Toshiba N-Kanal 10 μA 250 V Forbedring TO-252
- Infineon N-Kanal 6.8 A 650 V Forbedring TO-252, CoolMOS CE
- Toshiba N-Kanal 15.8 A 600 V Forbedring TO-220, DTMOSIV