Toshiba N-Kanal, MOSFET, 11,5 A 600 V, 3 ben, DPAK (TO-252), TK TK12P60W,RVQ(S

RS-varenummer:: 827-6126
Producentens varenummer:: TK12P60W,RVQ(S
Brand:: Toshiba

Toshiba N-Kanal, MOSFET, 11,5 A 600 V, 3 ben, DPAK (TO-252), TK TK12P60W,RVQ(S

Der er mulighed for mængderabat

Pris pr. stk. (Leveres i pakke af 4)

Kr. 17,765

(ekskl. moms)

Kr. 22,206

(inkl. moms)

1560 På lager for afsendelse samme dag*

* Leveringsdatoer afhænger af den valgte mængde og leveringsadressen.

Dag til dag levering ikke mulig

Enheder	Pr stk.	Pr pakke**
4 - 36	Kr. 17,765	Kr. 71,06
40 - 76	Kr. 13,80	Kr. 55,20
80 +	Kr. 11,275	Kr. 45,10

RS-varenummer:: 827-6126
Producentens varenummer:: TK12P60W,RVQ(S
Brand:: Toshiba

TK12P60W, MOSFET Silicon N-Channel MOS (DTMOS IV)
ESD Control Selection Guide V1

Attribute	Value
Kanaltype	N
Drain-strøm kontinuerlig maks.	11,5 A
Drain source spænding maks.	600 V
Serie	TK
Kapslingstype	DPAK (TO-252)
Monteringstype	Overflademontering
Benantal	3
Drain source modstand maks.	340 mΩ
Kanalform	Enhancement
Maks. tærskelspænding for port	3.7V
Effektafsættelse maks.	100 W
Transistorkonfiguration	Enkelt
Gate source spænding maks.	-30 V, +30 V
Transistormateriale	Si
Bredde	6.1mm
Gate-ladning ved Vgs typisk	25 nC ved 10 V
Længde	6.6mm
Driftstemperatur maks.	+150 °C
Antal elementer per chip	1
Højde	2.3mm

Toshiba N-Kanal, MOSFET, 11,5 A 600 V, 3 ben, DPAK (TO-252), TK TK12P60W,RVQ(S

Relaterede links