Toshiba Type N-Kanal, MOSFET, 11.5 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, DTMOSIV Nej TK12P60W,RVQ(S
- RS-varenummer:
- 827-6126
- Producentens varenummer:
- TK12P60W,RVQ(S
- Brand:
- Toshiba
Indhold (1 pakke af 4 enheder)*
Kr. 56,492
(ekskl. moms)
Kr. 70,616
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 1.552 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 4 + | Kr. 14,123 | Kr. 56,49 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 827-6126
- Producentens varenummer:
- TK12P60W,RVQ(S
- Brand:
- Toshiba
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Toshiba | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 11.5A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Serie | DTMOSIV | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 340mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 25nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 100W | |
| Portkildespænding maks. | 30 V | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.7V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 2.3mm | |
| Længde | 6.6mm | |
| Bredde | 6.1 mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Toshiba | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 11.5A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Serie DTMOSIV | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 340mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 25nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 100W | ||
Portkildespænding maks. 30 V | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.7V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 2.3mm | ||
Længde 6.6mm | ||
Bredde 6.1 mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
MOSFET-transistorer, Toshiba
Relaterede links
- Toshiba Type N-Kanal 11.5 A 600 V Forbedring TO-252, DTMOSIV Nej
- Toshiba Type N-Kanal 8 A 600 V Forbedring TO-252RVQ(S
- Toshiba Type N-Kanal 5.4 A 600 V Forbedring TO-252RVQ(S
- Toshiba N-Kanal 9 3 ben TK TK10P60W,RVQ(S
- Toshiba N-Kanal 7 A 600 V DPAK (TO-252)RVQ(S
- Toshiba Type N-Kanal 6.8 A 650 V Forbedring TO-252RQ(S
- Toshiba Type N-Kanal 5.8 A 650 V Forbedring TO-252RQ(S
- Toshiba Type N-Kanal 11.1 A 650 V Forbedring TO-252RQ(S